50n06 аналог

Содержание

CS50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CS50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 42
nC

Время нарастания (tr): 100
ns

Выходная емкость (Cd): 460
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm

Тип корпуса: TO-220

CS50N06
Datasheet (PDF)

1.1. cs50n06.pdf Size:249K _foshan

BR50N06(CS50N06) N-CHANNEL MOSFET/N MOS :DC/DC Purpose: Suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products. :R C

1.2. cs50n06d.pdf Size:253K _lzg

BRD50N06(CS50N06D) N-CHANNEL MOSFET/N MOS :DC/DC Purpose: Suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products. :R C

 5.1. cs50n20 anh.pdf Size:418K _crhj

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS50N20 ANH General Description VDSS 200 V CS50N20 ANH, the silicon N-channel Enhanced ID 50 A PD (TC=25) 300 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

5.2. cs50n80.pdf Size:72K _china

LJ2015-05CS50N80 N ( P 125 WDI V =20VT =25 50 AD GS CI 100 ADMV 20 VGST 150 jmT -55 150 stgBV V =0VI =0.1mA 800 VDSS GS DV =800VV =0V 100DS GSI ADSSV =800VV =0V

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

CEP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CEP50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 131
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Время нарастания (tr): 5
ns

Выходная емкость (Cd): 400
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm

Тип корпуса: TO-220

CEP50N06
Datasheet (PDF)

1.1. cep50n06 ceb50n06.pdf Size:370K _cet

CEP50N06/CEB50N06N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 50A ,RDS(ON) = 17m (typ) @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no

4.1. cep50n10 ceb50n10.pdf Size:446K _cet

CEP50N10/CEB50N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 50A, RDS(ON) = 30m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

 5.1. cep50p03 ceb50p03.pdf Size:128K _cet

CEP50P03/CEB50P03P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -47A, RDS(ON) =20m @VGS = -10V.RDS(ON) =32m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

WFP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: WFP50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 31
nC

Время нарастания (tr): 15
ns

Выходная емкость (Cd): 440
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm

Тип корпуса: TO-220

WFP50N06
Datasheet (PDF)

1.1. wfp50n06c.pdf Size:586K _winsemi

WFP50N06CWFP50N06CWFP50N06CWFP50N06CSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesR (Max 23m)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usin

1.2. wfp50n06.pdf Size:585K _winsemi

WFP50N06WFP50N06WFP50N06WFP50N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesR (Max 22m)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Wi

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

P55NF06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: P55NF06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 30
nC

Время нарастания (tr): 100
ns

Выходная емкость (Cd): 430
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023
Ohm

Тип корпуса: TO-220

P55NF06
Datasheet (PDF)

1.1. stb55nf06l-1 stb55nf06lt4 stb55nf06l stb55nf06l-1 stp55nf06l.pdf Size:335K _st

STP55NF06LSTB55NF06L — STB55NF06L-1N-channel 60V — 0.014 — 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V

1.2. stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf Size:793K _st

STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V

 1.3. stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf Size:541K _st

STB55NF06 — STB55NF06-1STP55NF06 — STP55NF06FPN-channel 60V — 0.015 — 50A — D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB55NF06 60V

1.4. stp55nf06l.pdf Size:454K _st

STP55NF06L — STP55NF06LFPSTB55NF06L — STB55NF06L-1N-CHANNEL 60V — 0.014 — 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKSTripFETII POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60 V

 1.5. d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf Size:279K _thinkisemi

55NF06Pb55NF06Pb Free Plating ProductN-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR50 AMPERE 60 VOLTN-CHANNEL POWER MOSFET12TO-251/IPAK3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12threshold voltages of 4 volt. TO-

1.6. stp55nf06.pdf Size:204K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP55NF06DESCRIPTIONWith TO-220F packaging100% avalanche testedFast switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor controlAudio amplifiersDC-DC&DC-AC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

SFP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SFP50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 31
nC

Время нарастания (tr): 15
ns

Выходная емкость (Cd): 440
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm

Тип корпуса: TO220

SFP50N06
Datasheet (PDF)

1.1. sfp50n06r.pdf Size:747K _winsemi

SFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max0.023)@V =10VDS(on) GS Gate Charge(Typical 25nC) Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemis trench layout-basedprocess. This technology improv

1.2. sfp50n06.pdf Size:476K _winsemi

SFP50N06SFP50N06SFP50N06SFP50N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max 22m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Win

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

Тип Code Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
110N10 N MOSFET 220 100 20 110 175 24 380 0.009 TO220
1115 N MOSFET 330 100 20 150 175 100 540 0.0068 TO220
140N10 N MOSFET 215 100 25 140 175 116 942 0.0072 TO220
7080 N MOSFET 150 70 25 80 175 15 430 0.008 TO220
75N75 N MOSFET 300 75 20 80 175 208 773 0.0095 TO220 TO220F1 TO220F TO263
80N08TR N MOSFET 230 80 25 80 175 29.3 415 0.0105 TO220
8680 N MOSFET 180 86 20 80 175 110 260 0.0085 TO220
AM90N06-16P N MOSFET 300 60 20 1 90 175 21 17 184 0.0165 TO220AB
APM7512NF N MOSFET 273 75 25 80 175 14 520 0.012 TO220
CEP6036 N MOSFET 167 60 20 135 175 23 450 0.0046 TO220
CEP60N06G N MOSFET 125 60 20 60 175 17 495 0.016 TO220
CEP75N06 N MOSFET 125 60 20 75 175 5.5 735 0.012 TO220
CEP75N06G N MOSFET 150 60 20 75 175 17 495 0.013 TO220
CEP80N15 N MOSFET 300 150 20 76 175 24 455 0.019 TO220
CEP85N75 N MOSFET 200 75 30 86 175 9 715 0.012 TO220
CEP85N75V N MOSFET 200 75 30 85 175 7 670 0.013 TO220
CM120N06 N MOSFET 150 60 20 120 175 435 0.0076 TO220
CM84N06 N MOSFET 200 60 20 84 175 375 0.01 TO220
CS3205_A8 N MOSFET 230 60 20 120 175 82 750 0.008 TO220AB
CS4145 N MOSFET 200 60 20 84 175 75 375 0.01 TO220AB
CS75N75_B8H N MOSFET 230 75 20 100 175 57 720 0.0115 TO220AB
CSD18532KCS N MOSFET 250 60 20 2.2 100 175 21 5.3 470 0.0042 TO220
CSD18533KCS N MOSFET 192 60 20 2.3 100 175 14 4.8 300 0.0063 TO220
CSD18542KCS N MOSFET 200 60 20 2.2 170 175 21 5 570 0.004 TO220
CSZ44V-1 N MOSFET 150 60 20 55 175 27 280 0.01 TO220AB
FQP50N06L N MOSFET 121 60 20 2.5 52 175 24.5 0.021 TO220
FTK6808 N MOSFET 181 68 20 84 175 15.6 300 0.008 TO220
FTK70N06 N MOSFET 147 60 20 70 175 200 800 0.015 TO220
FTP18N06 N MOSFET 150 60 20 59 175 61 420 0.018 TO220
FTP18N06N N MOSFET 130 60 20 55 175 37 222 0.018 TO220
G1010 N MOSFET 200 60 20 100 175 50.8 671.5 0.01 TO220
KF80N08P N MOSFET 230 75 20 80 175 228 840 0.0085 TO220AB
KMB060N60FA N MOSFET 150 60 25 60 175 220 360 0.0115 TO220IS
KMB060N60PA N MOSFET 150 60 25 60 175 220 360 0.0115 TO220AB
KMB080N75PA N MOSFET 300 75 25 80 175 25 730 0.01 TO220AB
KX120N06 N MOSFET 150 60 20 100 175 10.8 440 0.0057 TO220
L75N75 N MOSFET 300 75 20 75 175 100 660 0.013 TO220
MXP1006AT N MOSFET 333 100 20 155 175 155 425 0.006 TO220
MXP1007AT N MOSFET 333 100 20 143 175 600 0.007 TO220
MXP1008AT N MOSFET 242 100 20 115 175 130 536 0.008 TO220
MXP1015AT N MOSFET 231 100 20 82 175 71 317 0.015 TO220
MXP1018CT N MOSFET 150 100 76 175 73 707 0.018 TO220
MXP6004CTS N MOSFET 330 60 215 175 150 1260 0.004 TO220
MXP6006CT N MOSFET 158 60 115 175 52 522 0.006 TO220
MXP6006DT N MOSFET 158 60 20 115 175 43 534 0.006 TO220
MXP6008CT N MOSFET 150 60 20 109 175 43 435 0.008 TO220
MXP6010CTS N MOSFET 150 60 107 175 45 343 0.01 TO220
MXP65D7AT N MOSFET 231 60 20 142 175 50 610 0.0057 TO220
MXP8004AT N MOSFET 333 80 20 200 175 126 980 0.004 TO220
MXP84D7AT N MOSFET 333 80 20 179 175 135 660 0.0047 TO220
P1510ATG N MOSFET 150 100 20 64 175 110 420 0.015 TO220
PHP110NQ08LT N MOSFET 230 75 20 2 75 175 185 905 0.0085 TO220AB
RJK1008DPN N MOSFET 125 100 80 0.0085 TO220AB
SPP70N10L 70N10L N MOSFET 250 100 20 2 70 175 250 640 0.016 PTO220
SPP80N08S2L 2N08L07 N MOSFET 300 75 20 80 175 81 993 0.0071 TO220
SSE90N08-08 N MOSFET 300 80 20 90 175 45 449 0.011 TO220P
SSE90N10-14 N MOSFET 300 100 20 90 175 49 392 0.016 TO220P
SSRF90N06-10 N MOSFET 300 60 20 90 175 10 0.0099 ITO220
SSS1510 N MOSFET 300 150 20 100 175 105 657 0.0108 TO220

Всего результатов: 59

FTK50N06P MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FTK50N06P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 120
ns

Выходная емкость (Cd): 450
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm

Тип корпуса: TO220

FTK50N06P
Datasheet (PDF)

1.1. ftk50n06 ftk50n06p f.pdf Size:222K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTK50N06P / FTECHNICAL DATAPower MOSFET50 Amps, 60 VoltsN-CHANNEL POWER MOSFET P :1TO-220 DESCRIPTION The FTK50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max F :threshold voltages of 4 volt. 1It is mainly suitable electronic

2.1. ftk50n06d.pdf Size:336K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTK50N06DTECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET AICJGENERAL DESCRIPTION The FTK50N06D uses advanced trench technology and design to DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2provide excellent RDS(ON) with low gate charge. B 5 60 0 2C 5 20 0 2It can be used in awide variety of applications. D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAX I 2 30 0

2.2. ftk50n06dd.pdf Size:255K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTK50N06DDTECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET (60V/50A) PurposeSuited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated productsFeatureLow RDS(on),low gate charge,low Crss,fast switching. Absolute maximum ratings(Ta=25) Rating Symbol Unit V 60 V DSS

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

SG50N06T — IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: SG50N06T

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 50

Емкость коллектора (Cc), pf: 340

Корпус: TO247AD

SG50N06T
Datasheet (PDF)

1.1. sg50n06t.pdf Size:101K _sirectifier

SG50N06T, SG50N06DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H — 4.5 — 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0

3.1. sg50n06ds.pdf Size:152K _sirectifier

SG50N06S, SG50N06DSDiscrete IGBTsC Dim. Millimeter InchesEDimensions SOT-227(ISOTOP)Min. Max. Min. Max.A 31.50 31.88 1.240 1.255B 7.80 8.20 0.307 0.323C 4.09 4.29 0.161 0.169D 4.09 4.29 0.161 0.169E 4.09 4.29 0.161 0.169G=Gate, C=Collector, F 14.91 15.11 0.587 0.595G 30.12 30.30 1.186 1.193E=EmitterH 37.80 38.20 1.489 1.505J 11.68 12.22 0.460 0.481K 8.92 9.60 0

3.2. sg50n06dt.pdf Size:101K _sirectifier

SG50N06T, SG50N06DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H — 4.5 — 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0

 3.3. sg50n06s.pdf Size:152K _sirectifier

SG50N06S, SG50N06DSDiscrete IGBTsC Dim. Millimeter InchesEDimensions SOT-227(ISOTOP)Min. Max. Min. Max.A 31.50 31.88 1.240 1.255B 7.80 8.20 0.307 0.323C 4.09 4.29 0.161 0.169D 4.09 4.29 0.161 0.169E 4.09 4.29 0.161 0.169G=Gate, C=Collector, F 14.91 15.11 0.587 0.595G 30.12 30.30 1.186 1.193E=EmitterH 37.80 38.20 1.489 1.505J 11.68 12.22 0.460 0.481K 8.92 9.60 0

3.4. sg50n06d2s.pdf Size:149K _sirectifier

SG50N06D2S, SG50N06D3SDiscrete IGBTsDim. Millimeter InchesDimensions SOT-227(ISOTOP)Min. Max. Min. Max.A 31.50 31.88 1.240 1.255B 7.80 8.20 0.307 0.323C 4.09 4.29 0.161 0.169D 4.09 4.29 0.161 0.169E 4.09 4.29 0.161 0.169F 14.91 15.11 0.587 0.595G 30.12 30.30 1.186 1.193H 37.80 38.20 1.489 1.505J 11.68 12.22 0.460 0.481K 8.92 9.60 0.351 0.378L 0.76 0.84 0.030 0.033

 3.5. sg50n06d3s.pdf Size:149K _sirectifier

SG50N06D2S, SG50N06D3SDiscrete IGBTsDim. Millimeter InchesDimensions SOT-227(ISOTOP)Min. Max. Min. Max.A 31.50 31.88 1.240 1.255B 7.80 8.20 0.307 0.323C 4.09 4.29 0.161 0.169D 4.09 4.29 0.161 0.169E 4.09 4.29 0.161 0.169F 14.91 15.11 0.587 0.595G 30.12 30.30 1.186 1.193H 37.80 38.20 1.489 1.505J 11.68 12.22 0.460 0.481K 8.92 9.60 0.351 0.378L 0.76 0.84 0.030 0.033

Другие IGBT… SG35N12DT
, SG35N12T
, SG45N12T
, SG50N06D2S
, SG50N06D3S
, SG50N06DS
, SG50N06DT
, SG50N06S
, IRGB20B60PD1
, SG75S12S
, SG7N06DP
, SG7N06P
, SGP23N60UFD
, VS-GT100LA120UX
, VS-GT100NA120UX
, VS-GT100TP120N
, VS-GT100TP60N
.

FTK50N06P Datasheet (PDF)

1.1. ftk50n06 ftk50n06p f.pdf Size:222K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTK50N06P / FTECHNICAL DATAPower MOSFET50 Amps, 60 VoltsN-CHANNEL POWER MOSFET P :1TO-220 DESCRIPTION The FTK50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max F :threshold voltages of 4 volt. 1It is mainly suitable electronic

2.1. ftk50n06d.pdf Size:336K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTK50N06DTECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET AICJGENERAL DESCRIPTION The FTK50N06D uses advanced trench technology and design to DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2provide excellent RDS(ON) with low gate charge. B 5 60 0 2C 5 20 0 2It can be used in awide variety of applications. D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAX I 2 30 0

2.2. ftk50n06dd.pdf Size:255K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTK50N06DDTECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET (60V/50A) PurposeSuited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated productsFeatureLow RDS(on),low gate charge,low Crss,fast switching. Absolute maximum ratings(Ta=25) Rating Symbol Unit V 60 V DSS

RFP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RFP50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 131
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 125
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm

Тип корпуса: TO220AB

RFP50N06
Datasheet (PDF)

1.1. rfg50n06 rfp50n06 rf1s50n06sm.pdf Size:373K _fairchild_semi

RFG50N06, RFP50N06, RF1S50N06SMData Sheet January 200250A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 50A, 60VThese N-Channel power MOSFETs are manufactured using rDS(ON) = 0.022 the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensating PSPICE Modelsizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silico

1.2. rfg50n06le rfp50n06le rf1s50n06lesm.pdf Size:154K _intersil

RFG50N06LE, RFP50N06LE, RF1S50N06LESMData Sheet October 1999 File Number 4072.350A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level FeaturesN-Channel Power MOSFETs 50A, 60VThese N-Channel enhancement mode power MOSFETs are rDS(ON) = 0.022manufactured using the latest manufacturing process Temperature Compensating PSPICE Modeltechnology. This process, which uses feature sizesapproa

 1.3. rfp50n06.pdf Size:74K _intersil

RFG50N06, RFP50N06, RF1S50N06SMData Sheet July 1999 File Number 3575.450A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 50A, 60VThese N-Channel power MOSFETs are manufactured using rDS(ON) = 0.022the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensating PSPICE Modelsizes approaching those of LSI integrated circuits givesoptimum utilizati

1.4. rfp50n06.pdf Size:230K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor RFP50N06DESCRIPTIONDrain Current I =50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 22m(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS Designed for use in applications such as swithingRegulators,switc

Другие MOSFET… RFP40N10
, RFP40N10LE
, RFP45N06
, RFP45N06LE
, RFP4N05L
, RFP4N06L
, RFP4N100
, RFP50N05L
, SPA11N60C3
, RFP50N06LE
, RFP60P03
, RFP70N03
, RFP70N06
, RFP7N10LE
, RFP8N20L
, RFP8P05
, RFP8P06E
.

P55NF06 Datasheet (PDF)

1.1. stb55nf06l-1 stb55nf06lt4 stb55nf06l stb55nf06l-1 stp55nf06l.pdf Size:335K _st

STP55NF06LSTB55NF06L — STB55NF06L-1N-channel 60V — 0.014 — 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V

1.2. stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf Size:793K _st

STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V

 1.3. stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf Size:541K _st

STB55NF06 — STB55NF06-1STP55NF06 — STP55NF06FPN-channel 60V — 0.015 — 50A — D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB55NF06 60V

1.4. stp55nf06l.pdf Size:454K _st

STP55NF06L — STP55NF06LFPSTB55NF06L — STB55NF06L-1N-CHANNEL 60V — 0.014 — 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKSTripFETII POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60 V

 1.5. d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf Size:279K _thinkisemi

55NF06Pb55NF06Pb Free Plating ProductN-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR50 AMPERE 60 VOLTN-CHANNEL POWER MOSFET12TO-251/IPAK3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12threshold voltages of 4 volt. TO-

1.6. stp55nf06.pdf Size:204K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP55NF06DESCRIPTIONWith TO-220F packaging100% avalanche testedFast switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor controlAudio amplifiersDC-DC&DC-AC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou

FQP50N06L MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQP50N06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 121
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 24.5
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021
Ohm

Тип корпуса: TO220

FQP50N06L
Datasheet (PDF)

1.1. fqp50n06l.pdf Size:694K _fairchild_semi

May 2001TMQFETFQP50N06L60V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 52.4A, 60V, RDS(on) = 0.021 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 24.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially t

1.2. fqp50n06l.pdf Size:230K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor FQP50N06LDESCRIPTIONDrain Current I =50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 22m(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current , high speed switchingSwitch mode power supplies

 2.1. fqp50n06.pdf Size:644K _fairchild_semi

TMQFETFQP50N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 50A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 65 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast

2.2. fqp50n06.pdf Size:231K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor FQP50N06DESCRIPTIONDrain Current I =50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 22m(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current , high speed switchingSwitch mode power supplies

Другие MOSFET… FQB11N40C
, FQP45N15V2
, FQP46N15
, FQP47P06
, FQP4N80
, IRFU220B
, FQP4N90C
, FQP4P40
, 2SK163
, FQP55N10
, FQP6N60C
, FQP5N60C
, FQPF5N50C
, FQP65N06
, FQP6N40C
, FQU2N90
, FQP6N40CF
.

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
Добавить комментарий