Содержание
- 1 CS50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
- 2 CS50N06 Datasheet (PDF)
- 3 CEP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
- 4 CEP50N06 Datasheet (PDF)
- 5 WFP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
- 6 WFP50N06 Datasheet (PDF)
- 7 P55NF06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
- 8 P55NF06 Datasheet (PDF)
- 9 SFP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
- 10 SFP50N06 Datasheet (PDF)
- 11 Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)
- 12 FTK50N06P MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
- 13 FTK50N06P Datasheet (PDF)
- 14 SG50N06T — IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
- 15 FTK50N06P Datasheet (PDF)
- 16 RFP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
- 17 RFP50N06 Datasheet (PDF)
- 18 P55NF06 Datasheet (PDF)
- 19 FQP50N06L MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
- 20 FQP50N06L Datasheet (PDF)
CS50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CS50N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 42
nC
Параметры транзистора кт819, его цоколевка и аналоги Время нарастания (tr): 100
ns
Выходная емкость (Cd): 460
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm
Тип корпуса: TO-220
CS50N06
Datasheet (PDF)
1.1. cs50n06.pdf Size:249K _foshan
BR50N06(CS50N06) N-CHANNEL MOSFET/N MOS :DC/DC Purpose: Suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products. :R C
1.2. cs50n06d.pdf Size:253K _lzg
Управление светодиодом в arduino unoBRD50N06(CS50N06D) N-CHANNEL MOSFET/N MOS :DC/DC Purpose: Suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products. :R C
5.1. cs50n20 anh.pdf Size:418K _crhj
Silicon N-Channel Power MOSFET R CS50N20 ANH General Description VDSS 200 V CS50N20 ANH, the silicon N-channel Enhanced ID 50 A PD (TC=25) 300 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.045 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various
5.2. cs50n80.pdf Size:72K _china
LJ2015-05CS50N80 N ( P 125 WDI V =20VT =25 50 AD GS CI 100 ADMV 20 VGST 150 jmT -55 150 stgBV V =0VI =0.1mA 800 VDSS GS DV =800VV =0V 100DS GSI ADSSV =800VV =0V
Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.
CEP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEP50N06
Простой метод выбора ключевых транзисторов для импульсных источников питанияТип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 131
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A
Максимальная температура канала (Tj): 175
°C
Время нарастания (tr): 5
ns
Выходная емкость (Cd): 400
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm
Тип корпуса: TO-220
CEP50N06
Datasheet (PDF)
1.1. cep50n06 ceb50n06.pdf Size:370K _cet
CEP50N06/CEB50N06N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 50A ,RDS(ON) = 17m (typ) @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no
4.1. cep50n10 ceb50n10.pdf Size:446K _cet
CEP50N10/CEB50N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 50A, RDS(ON) = 30m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
5.1. cep50p03 ceb50p03.pdf Size:128K _cet
CEP50P03/CEB50P03P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -47A, RDS(ON) =20m @VGS = -10V.RDS(ON) =32m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc
Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.
WFP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WFP50N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 31
nC
Время нарастания (tr): 15
ns
Выходная емкость (Cd): 440
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm
Тип корпуса: TO-220
WFP50N06
Datasheet (PDF)
1.1. wfp50n06c.pdf Size:586K _winsemi
WFP50N06CWFP50N06CWFP50N06CWFP50N06CSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesR (Max 23m)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usin
1.2. wfp50n06.pdf Size:585K _winsemi
WFP50N06WFP50N06WFP50N06WFP50N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeaturesR (Max 22m)@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Wi
Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.
P55NF06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P55NF06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 30
nC
Время нарастания (tr): 100
ns
Выходная емкость (Cd): 430
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023
Ohm
Тип корпуса: TO-220
P55NF06
Datasheet (PDF)
1.1. stb55nf06l-1 stb55nf06lt4 stb55nf06l stb55nf06l-1 stp55nf06l.pdf Size:335K _st
STP55NF06LSTB55NF06L — STB55NF06L-1N-channel 60V — 0.014 — 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V
1.2. stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf Size:793K _st
STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V
1.3. stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf Size:541K _st
STB55NF06 — STB55NF06-1STP55NF06 — STP55NF06FPN-channel 60V — 0.015 — 50A — D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB55NF06 60V
1.4. stp55nf06l.pdf Size:454K _st
STP55NF06L — STP55NF06LFPSTB55NF06L — STB55NF06L-1N-CHANNEL 60V — 0.014 — 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKSTripFETII POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60 V
1.5. d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf Size:279K _thinkisemi
55NF06Pb55NF06Pb Free Plating ProductN-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR50 AMPERE 60 VOLTN-CHANNEL POWER MOSFET12TO-251/IPAK3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12threshold voltages of 4 volt. TO-
1.6. stp55nf06.pdf Size:204K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP55NF06DESCRIPTIONWith TO-220F packaging100% avalanche testedFast switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor controlAudio amplifiersDC-DC&DC-AC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou
Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.
SFP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SFP50N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 31
nC
Время нарастания (tr): 15
ns
Выходная емкость (Cd): 440
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm
Тип корпуса: TO220
SFP50N06
Datasheet (PDF)
1.1. sfp50n06r.pdf Size:747K _winsemi
SFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSFP50N06RSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max0.023)@V =10VDS(on) GS Gate Charge(Typical 25nC) Maximum Junction Temperature Range(175)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Winsemis trench layout-basedprocess. This technology improv
1.2. sfp50n06.pdf Size:476K _winsemi
SFP50N06SFP50N06SFP50N06SFP50N06Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures R (Max 22m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced using Win
Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.
Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)
| Тип | Code | Pol | Struct | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Caps |
| 110N10 | N | MOSFET | 220 | 100 | 20 | 110 | 175 | 24 | 380 | 0.009 | TO220 | |||
| 1115 | N | MOSFET | 330 | 100 | 20 | 150 | 175 | 100 | 540 | 0.0068 | TO220 | |||
| 140N10 | N | MOSFET | 215 | 100 | 25 | 140 | 175 | 116 | 942 | 0.0072 | TO220 | |||
| 7080 | N | MOSFET | 150 | 70 | 25 | 80 | 175 | 15 | 430 | 0.008 | TO220 | |||
| 75N75 | N | MOSFET | 300 | 75 | 20 | 80 | 175 | 208 | 773 | 0.0095 | TO220 TO220F1 TO220F TO263 | |||
| 80N08TR | N | MOSFET | 230 | 80 | 25 | 80 | 175 | 29.3 | 415 | 0.0105 | TO220 | |||
| 8680 | N | MOSFET | 180 | 86 | 20 | 80 | 175 | 110 | 260 | 0.0085 | TO220 | |||
| AM90N06-16P | N | MOSFET | 300 | 60 | 20 | 1 | 90 | 175 | 21 | 17 | 184 | 0.0165 | TO220AB | |
| APM7512NF | N | MOSFET | 273 | 75 | 25 | 80 | 175 | 14 | 520 | 0.012 | TO220 | |||
| CEP6036 | N | MOSFET | 167 | 60 | 20 | 135 | 175 | 23 | 450 | 0.0046 | TO220 | |||
| CEP60N06G | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 60 | 175 | 17 | 495 | 0.016 | TO220 | |||
| CEP75N06 | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 75 | 175 | 5.5 | 735 | 0.012 | TO220 | |||
| CEP75N06G | N | MOSFET | 150 | 60 | 20 | 75 | 175 | 17 | 495 | 0.013 | TO220 | |||
| CEP80N15 | N | MOSFET | 300 | 150 | 20 | 76 | 175 | 24 | 455 | 0.019 | TO220 | |||
| CEP85N75 | N | MOSFET | 200 | 75 | 30 | 86 | 175 | 9 | 715 | 0.012 | TO220 | |||
| CEP85N75V | N | MOSFET | 200 | 75 | 30 | 85 | 175 | 7 | 670 | 0.013 | TO220 | |||
| CM120N06 | N | MOSFET | 150 | 60 | 20 | 120 | 175 | 435 | 0.0076 | TO220 | ||||
| CM84N06 | N | MOSFET | 200 | 60 | 20 | 84 | 175 | 375 | 0.01 | TO220 | ||||
| CS3205_A8 | N | MOSFET | 230 | 60 | 20 | 120 | 175 | 82 | 750 | 0.008 | TO220AB | |||
| CS4145 | N | MOSFET | 200 | 60 | 20 | 84 | 175 | 75 | 375 | 0.01 | TO220AB | |||
| CS75N75_B8H | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 100 | 175 | 57 | 720 | 0.0115 | TO220AB | |||
| CSD18532KCS | N | MOSFET | 250 | 60 | 20 | 2.2 | 100 | 175 | 21 | 5.3 | 470 | 0.0042 | TO220 | |
| CSD18533KCS | N | MOSFET | 192 | 60 | 20 | 2.3 | 100 | 175 | 14 | 4.8 | 300 | 0.0063 | TO220 | |
| CSD18542KCS | N | MOSFET | 200 | 60 | 20 | 2.2 | 170 | 175 | 21 | 5 | 570 | 0.004 | TO220 | |
| CSZ44V-1 | N | MOSFET | 150 | 60 | 20 | 55 | 175 | 27 | 280 | 0.01 | TO220AB | |||
| FQP50N06L | N | MOSFET | 121 | 60 | 20 | 2.5 | 52 | 175 | 24.5 | 0.021 | TO220 | |||
| FTK6808 | N | MOSFET | 181 | 68 | 20 | 84 | 175 | 15.6 | 300 | 0.008 | TO220 | |||
| FTK70N06 | N | MOSFET | 147 | 60 | 20 | 70 | 175 | 200 | 800 | 0.015 | TO220 | |||
| FTP18N06 | N | MOSFET | 150 | 60 | 20 | 59 | 175 | 61 | 420 | 0.018 | TO220 | |||
| FTP18N06N | N | MOSFET | 130 | 60 | 20 | 55 | 175 | 37 | 222 | 0.018 | TO220 | |||
| G1010 | N | MOSFET | 200 | 60 | 20 | 100 | 175 | 50.8 | 671.5 | 0.01 | TO220 | |||
| KF80N08P | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 80 | 175 | 228 | 840 | 0.0085 | TO220AB | |||
| KMB060N60FA | N | MOSFET | 150 | 60 | 25 | 60 | 175 | 220 | 360 | 0.0115 | TO220IS | |||
| KMB060N60PA | N | MOSFET | 150 | 60 | 25 | 60 | 175 | 220 | 360 | 0.0115 | TO220AB | |||
| KMB080N75PA | N | MOSFET | 300 | 75 | 25 | 80 | 175 | 25 | 730 | 0.01 | TO220AB | |||
| KX120N06 | N | MOSFET | 150 | 60 | 20 | 100 | 175 | 10.8 | 440 | 0.0057 | TO220 | |||
| L75N75 | N | MOSFET | 300 | 75 | 20 | 75 | 175 | 100 | 660 | 0.013 | TO220 | |||
| MXP1006AT | N | MOSFET | 333 | 100 | 20 | 155 | 175 | 155 | 425 | 0.006 | TO220 | |||
| MXP1007AT | N | MOSFET | 333 | 100 | 20 | 143 | 175 | 600 | 0.007 | TO220 | ||||
| MXP1008AT | N | MOSFET | 242 | 100 | 20 | 115 | 175 | 130 | 536 | 0.008 | TO220 | |||
| MXP1015AT | N | MOSFET | 231 | 100 | 20 | 82 | 175 | 71 | 317 | 0.015 | TO220 | |||
| MXP1018CT | N | MOSFET | 150 | 100 | 76 | 175 | 73 | 707 | 0.018 | TO220 | ||||
| MXP6004CTS | N | MOSFET | 330 | 60 | 215 | 175 | 150 | 1260 | 0.004 | TO220 | ||||
| MXP6006CT | N | MOSFET | 158 | 60 | 115 | 175 | 52 | 522 | 0.006 | TO220 | ||||
| MXP6006DT | N | MOSFET | 158 | 60 | 20 | 115 | 175 | 43 | 534 | 0.006 | TO220 | |||
| MXP6008CT | N | MOSFET | 150 | 60 | 20 | 109 | 175 | 43 | 435 | 0.008 | TO220 | |||
| MXP6010CTS | N | MOSFET | 150 | 60 | 107 | 175 | 45 | 343 | 0.01 | TO220 | ||||
| MXP65D7AT | N | MOSFET | 231 | 60 | 20 | 142 | 175 | 50 | 610 | 0.0057 | TO220 | |||
| MXP8004AT | N | MOSFET | 333 | 80 | 20 | 200 | 175 | 126 | 980 | 0.004 | TO220 | |||
| MXP84D7AT | N | MOSFET | 333 | 80 | 20 | 179 | 175 | 135 | 660 | 0.0047 | TO220 | |||
| P1510ATG | N | MOSFET | 150 | 100 | 20 | 64 | 175 | 110 | 420 | 0.015 | TO220 | |||
| PHP110NQ08LT | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 2 | 75 | 175 | 185 | 905 | 0.0085 | TO220AB | ||
| RJK1008DPN | N | MOSFET | 125 | 100 | 80 | 0.0085 | TO220AB | |||||||
| SPP70N10L | 70N10L | N | MOSFET | 250 | 100 | 20 | 2 | 70 | 175 | 250 | 640 | 0.016 | PTO220 | |
| SPP80N08S2L | 2N08L07 | N | MOSFET | 300 | 75 | 20 | 80 | 175 | 81 | 993 | 0.0071 | TO220 | ||
| SSE90N08-08 | N | MOSFET | 300 | 80 | 20 | 90 | 175 | 45 | 449 | 0.011 | TO220P | |||
| SSE90N10-14 | N | MOSFET | 300 | 100 | 20 | 90 | 175 | 49 | 392 | 0.016 | TO220P | |||
| SSRF90N06-10 | N | MOSFET | 300 | 60 | 20 | 90 | 175 | 10 | 0.0099 | ITO220 | ||||
| SSS1510 | N | MOSFET | 300 | 150 | 20 | 100 | 175 | 105 | 657 | 0.0108 | TO220 |
Всего результатов: 59
FTK50N06P MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FTK50N06P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Время нарастания (tr): 120
ns
Выходная емкость (Cd): 450
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm
Тип корпуса: TO220
FTK50N06P
Datasheet (PDF)
1.1. ftk50n06 ftk50n06p f.pdf Size:222K _first_silicon
SEMICONDUCTORFTK50N06P / FTECHNICAL DATAPower MOSFET50 Amps, 60 VoltsN-CHANNEL POWER MOSFET P :1TO-220 DESCRIPTION The FTK50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max F :threshold voltages of 4 volt. 1It is mainly suitable electronic
2.1. ftk50n06d.pdf Size:336K _first_silicon
SEMICONDUCTORFTK50N06DTECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET AICJGENERAL DESCRIPTION The FTK50N06D uses advanced trench technology and design to DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2provide excellent RDS(ON) with low gate charge. B 5 60 0 2C 5 20 0 2It can be used in awide variety of applications. D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAX I 2 30 0
2.2. ftk50n06dd.pdf Size:255K _first_silicon
SEMICONDUCTORFTK50N06DDTECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET (60V/50A) PurposeSuited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated productsFeatureLow RDS(on),low gate charge,low Crss,fast switching. Absolute maximum ratings(Ta=25) Rating Symbol Unit V 60 V DSS
Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.
SG50N06T — IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SG50N06T
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 50
Емкость коллектора (Cc), pf: 340
Корпус: TO247AD
SG50N06T
Datasheet (PDF)
1.1. sg50n06t.pdf Size:101K _sirectifier
SG50N06T, SG50N06DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H — 4.5 — 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0
3.1. sg50n06ds.pdf Size:152K _sirectifier
SG50N06S, SG50N06DSDiscrete IGBTsC Dim. Millimeter InchesEDimensions SOT-227(ISOTOP)Min. Max. Min. Max.A 31.50 31.88 1.240 1.255B 7.80 8.20 0.307 0.323C 4.09 4.29 0.161 0.169D 4.09 4.29 0.161 0.169E 4.09 4.29 0.161 0.169G=Gate, C=Collector, F 14.91 15.11 0.587 0.595G 30.12 30.30 1.186 1.193E=EmitterH 37.80 38.20 1.489 1.505J 11.68 12.22 0.460 0.481K 8.92 9.60 0
3.2. sg50n06dt.pdf Size:101K _sirectifier
SG50N06T, SG50N06DTDiscrete IGBTsDimensions TO-247AD Dim. Millimeter InchesMin. Max. Min. Max.A 19.81 20.32 0.780 0.800B 20.80 21.46 0.819 0.845C 15.75 16.26 0.610 0.640EG=Gate, C=Collector,D 3.55 3.65 0.140 0.144C(TAB)CE=Emitter,TAB=CollectorGE 4.32 5.49 0.170 0.216F 5.4 6.2 0.212 0.244G 1.65 2.13 0.065 0.084H — 4.5 — 0.177J 1.0 1.4 0.040 0.055K 10.8 11.0
3.3. sg50n06s.pdf Size:152K _sirectifier
SG50N06S, SG50N06DSDiscrete IGBTsC Dim. Millimeter InchesEDimensions SOT-227(ISOTOP)Min. Max. Min. Max.A 31.50 31.88 1.240 1.255B 7.80 8.20 0.307 0.323C 4.09 4.29 0.161 0.169D 4.09 4.29 0.161 0.169E 4.09 4.29 0.161 0.169G=Gate, C=Collector, F 14.91 15.11 0.587 0.595G 30.12 30.30 1.186 1.193E=EmitterH 37.80 38.20 1.489 1.505J 11.68 12.22 0.460 0.481K 8.92 9.60 0
3.4. sg50n06d2s.pdf Size:149K _sirectifier
SG50N06D2S, SG50N06D3SDiscrete IGBTsDim. Millimeter InchesDimensions SOT-227(ISOTOP)Min. Max. Min. Max.A 31.50 31.88 1.240 1.255B 7.80 8.20 0.307 0.323C 4.09 4.29 0.161 0.169D 4.09 4.29 0.161 0.169E 4.09 4.29 0.161 0.169F 14.91 15.11 0.587 0.595G 30.12 30.30 1.186 1.193H 37.80 38.20 1.489 1.505J 11.68 12.22 0.460 0.481K 8.92 9.60 0.351 0.378L 0.76 0.84 0.030 0.033
3.5. sg50n06d3s.pdf Size:149K _sirectifier
SG50N06D2S, SG50N06D3SDiscrete IGBTsDim. Millimeter InchesDimensions SOT-227(ISOTOP)Min. Max. Min. Max.A 31.50 31.88 1.240 1.255B 7.80 8.20 0.307 0.323C 4.09 4.29 0.161 0.169D 4.09 4.29 0.161 0.169E 4.09 4.29 0.161 0.169F 14.91 15.11 0.587 0.595G 30.12 30.30 1.186 1.193H 37.80 38.20 1.489 1.505J 11.68 12.22 0.460 0.481K 8.92 9.60 0.351 0.378L 0.76 0.84 0.030 0.033
Другие IGBT… SG35N12DT
, SG35N12T
, SG45N12T
, SG50N06D2S
, SG50N06D3S
, SG50N06DS
, SG50N06DT
, SG50N06S
, IRGB20B60PD1
, SG75S12S
, SG7N06DP
, SG7N06P
, SGP23N60UFD
, VS-GT100LA120UX
, VS-GT100NA120UX
, VS-GT100TP120N
, VS-GT100TP60N
.
FTK50N06P Datasheet (PDF)
1.1. ftk50n06 ftk50n06p f.pdf Size:222K _first_silicon
SEMICONDUCTORFTK50N06P / FTECHNICAL DATAPower MOSFET50 Amps, 60 VoltsN-CHANNEL POWER MOSFET P :1TO-220 DESCRIPTION The FTK50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max F :threshold voltages of 4 volt. 1It is mainly suitable electronic
2.1. ftk50n06d.pdf Size:336K _first_silicon
SEMICONDUCTORFTK50N06DTECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET AICJGENERAL DESCRIPTION The FTK50N06D uses advanced trench technology and design to DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2provide excellent RDS(ON) with low gate charge. B 5 60 0 2C 5 20 0 2It can be used in awide variety of applications. D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAX I 2 30 0
2.2. ftk50n06dd.pdf Size:255K _first_silicon
SEMICONDUCTORFTK50N06DDTECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET (60V/50A) PurposeSuited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated productsFeatureLow RDS(on),low gate charge,low Crss,fast switching. Absolute maximum ratings(Ta=25) Rating Symbol Unit V 60 V DSS
RFP50N06 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RFP50N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 131
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 125
nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm
Тип корпуса: TO220AB
RFP50N06
Datasheet (PDF)
1.1. rfg50n06 rfp50n06 rf1s50n06sm.pdf Size:373K _fairchild_semi
RFG50N06, RFP50N06, RF1S50N06SMData Sheet January 200250A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 50A, 60VThese N-Channel power MOSFETs are manufactured using rDS(ON) = 0.022 the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensating PSPICE Modelsizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silico
1.2. rfg50n06le rfp50n06le rf1s50n06lesm.pdf Size:154K _intersil
RFG50N06LE, RFP50N06LE, RF1S50N06LESMData Sheet October 1999 File Number 4072.350A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level FeaturesN-Channel Power MOSFETs 50A, 60VThese N-Channel enhancement mode power MOSFETs are rDS(ON) = 0.022manufactured using the latest manufacturing process Temperature Compensating PSPICE Modeltechnology. This process, which uses feature sizesapproa
1.3. rfp50n06.pdf Size:74K _intersil
RFG50N06, RFP50N06, RF1S50N06SMData Sheet July 1999 File Number 3575.450A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power FeaturesMOSFETs 50A, 60VThese N-Channel power MOSFETs are manufactured using rDS(ON) = 0.022the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensating PSPICE Modelsizes approaching those of LSI integrated circuits givesoptimum utilizati
1.4. rfp50n06.pdf Size:230K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor RFP50N06DESCRIPTIONDrain Current I =50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 22m(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS Designed for use in applications such as swithingRegulators,switc
Другие MOSFET… RFP40N10
, RFP40N10LE
, RFP45N06
, RFP45N06LE
, RFP4N05L
, RFP4N06L
, RFP4N100
, RFP50N05L
, SPA11N60C3
, RFP50N06LE
, RFP60P03
, RFP70N03
, RFP70N06
, RFP7N10LE
, RFP8N20L
, RFP8P05
, RFP8P06E
.
P55NF06 Datasheet (PDF)
1.1. stb55nf06l-1 stb55nf06lt4 stb55nf06l stb55nf06l-1 stp55nf06l.pdf Size:335K _st
STP55NF06LSTB55NF06L — STB55NF06L-1N-channel 60V — 0.014 — 55A TO-220/D2PAK/I2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60V
1.2. stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf Size:793K _st
STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V
1.3. stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf Size:541K _st
STB55NF06 — STB55NF06-1STP55NF06 — STP55NF06FPN-channel 60V — 0.015 — 50A — D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB55NF06 60V
1.4. stp55nf06l.pdf Size:454K _st
STP55NF06L — STP55NF06LFPSTB55NF06L — STB55NF06L-1N-CHANNEL 60V — 0.014 — 55A TO-220/FP/D2PAK/I2PAKSTripFETII POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP55NF06L 60 V
1.5. d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf Size:279K _thinkisemi
55NF06Pb55NF06Pb Free Plating ProductN-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR50 AMPERE 60 VOLTN-CHANNEL POWER MOSFET12TO-251/IPAK3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12threshold voltages of 4 volt. TO-
1.6. stp55nf06.pdf Size:204K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP55NF06DESCRIPTIONWith TO-220F packaging100% avalanche testedFast switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMotor controlAudio amplifiersDC-DC&DC-AC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou
FQP50N06L MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQP50N06L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 121
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52
A
Максимальная температура канала (Tj): 175
°C
Общий заряд затвора (Qg): 24.5
nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021
Ohm
Тип корпуса: TO220
FQP50N06L
Datasheet (PDF)
1.1. fqp50n06l.pdf Size:694K _fairchild_semi
May 2001TMQFETFQP50N06L60V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 52.4A, 60V, RDS(on) = 0.021 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 24.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially t
1.2. fqp50n06l.pdf Size:230K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor FQP50N06LDESCRIPTIONDrain Current I =50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 22m(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current , high speed switchingSwitch mode power supplies
2.1. fqp50n06.pdf Size:644K _fairchild_semi
TMQFETFQP50N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 50A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 65 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast
2.2. fqp50n06.pdf Size:231K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor FQP50N06DESCRIPTIONDrain Current I =50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 22m(Max)DS(on)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current , high speed switchingSwitch mode power supplies
Другие MOSFET… FQB11N40C
, FQP45N15V2
, FQP46N15
, FQP47P06
, FQP4N80
, IRFU220B
, FQP4N90C
, FQP4P40
, 2SK163
, FQP55N10
, FQP6N60C
, FQP5N60C
, FQPF5N50C
, FQP65N06
, FQP6N40C
, FQU2N90
, FQP6N40CF
.
