Параметры транзистора кт819, его цоколевка и аналоги

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Добавитьописание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Добавитьописание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.Магазины электронных компонентов.

«Квантовые материалы комнатной температуры»

Кроме того, МЭСО может использоваться одновременно и для обработки, и для хранения данных — в каждый элемент можно записать по крайней мере 1 бит информации. Дело в том, что МЭСО изготавливаются из так называемого мультиферроика — соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3). Этот материал был впервые создан в 2001 г. Рамаморти Рамешем (Ramamoorthy Ramesh), профессором математики и инженерии Калифорнийского университета в Беркли и главным автором статьи в Nature.

Мультиферроик имеет два состояния — магнитное и ферроэлектрическое — которые связаны друг с другом. Меняя электрическое поле, можно изменить магнитное состояние. Таким образом, в качестве 0 и 1 здесь выступает восходящее и нисходящее направление намагниченности, которая меняется за счет манипуляций с полем.

Главным прорывом в создании МЭСО стало появление топологических материалов со спин-орбитальным эффектом, который позволяет эффективно считывать состояние мультиферроика. В МЭСО электрическое поле изменяет дипольное электрическое поле по всему материалу, что в свою очередь изменяет электронные спины, которые генерируют магнитное поле. Эта способность исходит из спин-орбитальной связи, квантового эффекта в материалах, который вырабатывает ток, определяемый направлением вращения электрона.

«МЭСО — это элемент, сделанный из квантовых материалов комнатной температуры», — поясняет Сасикант Манипатруни (Sasikanth Manipatruni), старший научный сотрудник и директор Научно-технологического центра Intel по интеграции и производству функциональной электроники.

  • Короткая ссылка
  • Распечатать

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20. У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в. У транзисторовКТ817Б — 45в. У транзистора КТ817В — 60в. У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора. — 3А. Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Подбор MOSFET или аналога (замены)

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

Тип Code Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
2SK3562 K3562 N MOSFET 40 600 30 4 6 150 28 20 110 1.25 TO220SIS
2SK3567 K3567 N MOSFET 35 600 30 4 3.5 150 16 12 60 2.2 TO220SIS
2SK3569 K3569 N MOSFET 45 600 30 4 10 150 42 22 180 0.75 TO220SIS
2SK3667 N MOSFET 45 600 30 7.5 150 33 20 120 1 TO220SIS
2SK3797 N MOSFET 50 600 30 13 150 62 60 270 0.43 TO220SIS
2SK3799 K3799 N MOSFET 50 900 30 4 8 150 60 25 190 1.3 TO220SIS
2SK3947 N MOSFET 40 600 30 6 150 28 20 110 1.4 TO220SIS
2SK4013 K4013 N MOSFET 45 800 30 4 6 150 45 25 130 1.7 TO220SIS
2SK4014 K4014 N MOSFET 45 900 30 4 6 150 45 25 130 2 TO220SIS
2SK4015 N MOSFET 45 600 30 10 150 42 22 180 0.86 TO220SIS
2SK4016 N MOSFET 50 600 30 4 13 150 62 60 270 0.5 TO220SIS
TK10A60D K10A60D N MOSFET 45 600 30 4 10 150 25 22 135 0.75 TO220SIS
TK10A80E N MOSFET 50 800 30 4 10 150 46 40 150 1 TO220SIS
TK11A60D K11A60D N MOSFET 45 600 30 4 11 150 28 25 165 0.65 TO220SIS
TK11A65D K11A65D N MOSFET 45 650 30 4 11 150 30 30 157 0.7 TO220SIS
TK11A65W N MOSFET 35 650 30 3.5 11.1 150 25 23 23 0.39 TO220SIS
TK12A60D K12A60D N MOSFET 45 600 30 4 12 150 38 40 190 0.55 TO220SIS
TK12A60W N MOSFET 35 600 30 3.7 11.5 150 25 23 23 0.3 TO220SIS
TK12A65D K12A65D N MOSFET 50 650 30 4 12 150 40 35 200 0.54 TO220SIS
TK13A60D K13A60D N MOSFET 50 600 30 4 13 150 40 50 250 0.43 TO220SIS
TK13A65D K13A65D N MOSFET 50 650 30 4 13 150 45 50 280 0.47 TO220SIS
TK14A65W N MOSFET 40 650 30 3.5 13.7 150 35 20 35 0.25 TO220SIS
TK15A60D K15A60D N MOSFET 50 600 30 4 15 150 45 50 280 0.37 TO220SIS
TK16A60W N MOSFET 40 600 30 3.7 15.8 150 38 25 35 0.19 TO220SIS
TK18A60V K18A60V N MOSFET 45 600 30 3.5 18 150 39 40 40 0.19 TO220SIS
TK20A60T K20A60T N MOSFET 45 600 30 20 150 30 40 3800 0.19 TO220SIS
TK20A60W N MOSFET 45 600 30 3.7 20 150 48 25 40 0.155 TO220SIS
TK25A60X N MOSFET 45 600 30 3.5 25 150 40 15 60 0.125 TO220SIS
TK28A65W N MOSFET 45 650 30 3.5 27.6 150 75 25 70 0.11 TO220SIS
TK31A60W N MOSFET 45 600 30 3.7 30.8 150 86 32 70 0.088 TO220SIS
TK35A65W N MOSFET 50 650 30 3.5 35 150 100 30 90 0.08 TO220SIS
TK39A60W N MOSFET 50 600 30 3.7 38.8 150 110 50 90 0.065 TO220SIS
TK4A60D K4A60D N MOSFET 35 600 30 4.4 4 150 12 18 70 1.7 TO220SIS
TK4A60DA K4A60DA N MOSFET 35 600 30 4.4 3.5 150 11 18 55 2.2 TO220SIS
TK4A60DB K4A60DB N MOSFET 35 600 30 4.4 3.7 150 11 18 60 2 TO220SIS
TK4A65DA K4A65DA N MOSFET 35 650 30 4.4 3.5 150 12 18 70 1.9 TO220SIS
TK5A60D K5A60D N MOSFET 35 600 30 4.4 5 150 16 20 80 1.43 TO220SIS
TK5A65D K5A65D N MOSFET 40 650 30 4 5 150 16 20 100 1.43 TO220SIS
TK5A65DA K5A65DA N MOSFET 35 650 30 4.4 4.5 150 16 20 70 1.67 TO220SIS
TK6A60D K6A60D N MOSFET 40 600 30 4 6 150 16 20 100 1.25 TO220SIS
TK6A65D K6A65D N MOSFET 45 650 30 4 6 150 20 25 100 1.11 TO220SIS
TK6A80E N MOSFET 45 800 30 4 6 150 32 20 110 1.7 TO220SIS
TK7A65D K7A65D N MOSFET 45 650 30 4 7 150 24 25 120 0.98 TO220SIS
TK7A90E N MOSFET 45 900 30 4 7 150 32 20 110 2 TO220SIS
TK8A60DA K8A60DA N MOSFET 45 600 30 4 7.5 150 20 25 100 1 TO220SIS
TK8A65D K8A65D N MOSFET 45 650 30 4 8 150 25 22 135 0.84 TO220SIS
TK9A60D K9A60D N MOSFET 45 600 30 4 9 150 24 25 120 0.83 TO220SIS
TK9A90E N MOSFET 50 900 30 4 9 150 46 40 150 1.3 TO220SIS

Всего результатов: 48

Какими же транзисторами можно заменить?

Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные

Главное, что важно знать о них:

  • первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
  • после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
  • затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
  • ну и, наконец, то как передается ток.

Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.

Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.

Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера

Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.

Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.

Чем заменить советские радиодетали

Чем заменить советские радиодетали

Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт

И этот аналог пойдет для замены полностью

К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.

К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.

КАК ПОДОБРАТЬ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ

Для простых каскадных усилителей очень важно подобрать транзисторы с максимальным коэффициентом усиления (КУ). Известно, что характеристики транзисторов легко узнать в мануале, но даже там вы увидите огромный разброс параметров усилительных свойств транзисторов одно марки и серии.Иногда так и получается — установив указанные в нарисованной схеме детали , на практике при включении ничего должным образом не работает.Разброс параметров транзисторов настолько большой, что ПРОВЕРКА перед пайкой крайне необходима

Известно, что характеристики транзисторов легко узнать в мануале, но даже там вы увидите огромный разброс параметров усилительных свойств транзисторов одно марки и серии.Иногда так и получается — установив указанные в нарисованной схеме детали , на практике при включении ничего должным образом не работает.Разброс параметров транзисторов настолько большой, что ПРОВЕРКА перед пайкой крайне необходима.

Говоря о Коэффициенте Усиления надо оговориться , что у простого Биполярного транзистора их несколько — и по току и по напряжению и даже комплексный по мощности зависимый от ряда параметров схемы применения.

В частном случае Коэффициент усиления транзистора (по току, мощности или напряжению) – отношение изменения соответствующего показателя в цепи коллектора и в цепи базы.️ Коэффициент усиления транзистора по току Для схем с общей базой этот коэффициент обозначается буквой α (hfБ или h21Б), с общим эмиттером буквой β (hfЭ или h21Э).️ Коэффициент усиления по току (или, как еще указывается в литературе, коэффициент передачи тока) в первом случае (α) есть отношение силы тока в коллекторе (Iк) к силе тока эмиттера (Iэ) при неизменном напряжении в части коллектор-база: α = IК / IЭ, при UК-Б = const

Коэффициент усиления триода по мощности Это величина отношения выходной мощности (P2) к мощности, подаваемой на вход триода (P1): КР = Р2 / Р1Коэффициент усиления транзистора по мощности можно также определить произведением коэффициента усиления по току (КI) и коэффициента усиления по напряжению (KU): КР = КI * KU

Для расчета этих параметров достаточно собрать простенькую схему и провести измерения величин тока в цепях базы и коллектора.

На кухонном столе такая установка выглядит вот так.

С помощью простого расчеты мы легко сможем определить самый подходящий для нашего усилителя транзистор из имеющихся в наличии.

Удивил меня факт того, что транзистор регулярно используемый в усилителях КТ803А оказался далеко не лидером по КУ среди транзисторов изъятых из блоков питания и лампочек экономок.Его КУ равный 10 никак не соперничает с КУ транзистора 13003 равным 20.

А вот германиевые транзисторы П210А меня порадовали Коэффициентом усиления переваливающим за 200.

✅ КАК ПОДОБРАТЬ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ ✔️ Что есть КУ ?

✅ КАК ПОДОБРАТЬ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ ✔️ Что есть КУ ?

Источник

Особенности элемента

Преимуществом МЭСО является то, что напряжение, необходимое для его переключения, в пять раз ниже напряжения при переключении КМОП. Проведенные эксперименты показали, что для переключения достаточно 500 мВ, но ученые подсчитали, что это значение можно довести до 100 мВ.

В результате процессоры на МЭСО будут потреблять в 10-30 раз меньше энергии по сравнению с чипами на транзисторах, плюс будут сверхэкономными в спящем режиме. В перспективе можно говорить о повышении энергоэффективности в 10-100 раз по сравнению с тем, чего в будущем можно добиться от КМОП.

МЭСО изготавливаются из так называемого мультиферроика — соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3)

Ученые сообщают, что МЭСО может вместить в пять раз больше логических операций на том же пространстве по сравнению с КМОП.

П О П У Л Я Р Н О Е:

Графический редактор — Tux Paint — простая бесплатная программа для рисования. Программа предназначена для детей и имеет простую понятную панель инструментов, веселое озвучивание команд, рисованный пингвин-помощник, который поможет детям своими подсказками 🙂

Хоть и Tux Paint простая программка, но в ней есть множество различных инструментов для рисования: набор разных кистей и штампов для рисования, формы и линии, заливка и размытие, волны и вздутие, рельсы и цветочки, зеркало и многое другое.

Прибор для проверки коэффициента усиления мощных и маломощных транзисторов своими руками

Хотя сейчас много в продаже различных приборов и мультиметров, измеряющих коэффициент усиления транзисторов, но любителям что-нибудь мастерить и паять можно порекомендовать несколько несложных схем и доработку.

Данный прибор для проверки транзисторов позволяет точно замерять ряд следующих параметров…

Цена: $5.37 за 10 комплектов

Перейти в магазин

Здравствуйте. Обзор модуля для регулировки электрической мощности с примерами применения. Купил я этот набор для изменения на мощности паяльнике. Раньше я делал подобное устройство, но для паяльника тот диммер чересчур большой, как по размерам, так и по мощности и приходится располагать его в отдельной коробке. И вот на глаза попался сабж, который можно встроить в сетевую вилку, не любую правда, но найти можно.

Размер печатной платы: 2*3.3 см Номинальная мощность: p = UI; 100 Вт = 220 В * 0.45а Модель: 100 Вт модуль диммера; Номинальная мощность: 100 Вт;

Печатная плата x1 шт Потенциометр с выключателем WH149-500k x1 Потенциометра рукоятка x1 Динистор DB3 x1 Сопротивление 2 К, 0.25 Вт x1 Симистор MAC97A6 x1 Конденсатор 0,1 мкФ 630 В CBB x1

Размеры платы 30х20мм. В глубину от выступающих контактов регулятора до резьбы 17 мм. Посадочное отверстие 9,2 мм. Диаметр резьбы 6,8 мм.

Заказал лот из десяти наборов. Каждый набор помещен в полиэтиленовый пакет. Деталей немного. Переменный резистор со встроенным выключателем. Принципиальная схема вроде этой, только номиналы другие. Модуль можно спаять за несколько минут. Провода слишком толстые и не дают переменнику полностью встать на свое место. Поэтому припаивать их надо в последнюю очередь, если они нужны, конечно.

Теперь нужно подобрать вилку. Ничего лучшего, чем корпус от зарядки нокия я не нашел. Корпус скреплен винтами, правда с хитрым шлицем, но можно открутить обычной плоской отверткой. Вытаскиваю внутренности, делаю отверстие в крышке. Все, прибор готов. Ручка регулятора имеет такую же фактуру и цвет как и корпус и не создает впечатление инородного тела.

Осталось подсоединить нагрузку — паяльник.

Лужу пружинные контакты от зарядки с помощью кислоты.

И соединяю провод паяльника с диммером и контактами. И все это помещаю внутрь корпуса зарядки. Провод в корпусе дополнительно фиксировать не стал, влез довольно плотно. Теперь осталось отрегулировать температуру. Хоть паяльник и на 25 ватт, но раскочегаривается до 350 градусов.

Вращением регулятора добиваюсь, чтобы на жале было 270 С и переставляю ручку регулятора указателем на винт, чтобы проще было потом ориентироваться. В это время паяльник потребляет 16,5 ватт. Видео, демонстрирующее регулировку мощности.

DSCN4510

DSCN4510

Ради эксперимента поставил сабж в вентилятор. Но здесь регулировку оборотов безболезненно можно делать лишь в небольших пределах. При достаточном снижении оборотов — обмотки двигателя начинают гудеть, перегреваться и рано или поздно, скорее рано, при такой эксплуатации двигатель может сгореть Ну и универсальный регулятор, к которому можно подключить и паяльник, и лампу и вентилятор. Корпус взял от от блока питания от дект телефона. Блок питания самый простой — только понижающий трансформатор, на выходе переменный ток. Поэтому разобрал его без сожаления. Корпус расколол на 2 части по шву легкими постукиванием молотка по ножу. Приятный сюрприз- вилка вывинчивается, что облегчает процесс самоделания. Конечно, необходимо немного попилить. Необходимые детали уложились в корпус довольно компактно. Соединяю вилку и розетку проводами. Все это помещаю в корпус, где уже установлен диммер. Провода на фото припаяны неправильно, по невнимательности. Ток при такой распайке идет напрямую через конденсатор и диммер естественно не работает. А я то подумал — брак положили. Перепаял провода, как положено, на контакты подписанные «220V».

Готовое изделие. Применяю диммер по прямому назначению — лампу накаливания можно душевно затемнить. Во время эксплуатации, какого то чрезмерного нагрева прибора не обнаружил, но использовал я сабж на мощность ниже номинальной.

На этом все

Спасибо за внимание

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

Тип Code Pol Struct Pd Uds Ugs Ugs(th) Id Tj Qg Tr Cd Rds Caps
2SK3562 K3562 N MOSFET 40 600 30 4 6 150 28 20 110 1.25 TO220SIS
2SK3567 K3567 N MOSFET 35 600 30 4 3.5 150 16 12 60 2.2 TO220SIS
2SK3569 K3569 N MOSFET 45 600 30 4 10 150 42 22 180 0.75 TO220SIS
2SK3667 N MOSFET 45 600 30 7.5 150 33 20 120 1 TO220SIS
2SK3797 N MOSFET 50 600 30 13 150 62 60 270 0.43 TO220SIS
2SK3799 K3799 N MOSFET 50 900 30 4 8 150 60 25 190 1.3 TO220SIS
2SK3947 N MOSFET 40 600 30 6 150 28 20 110 1.4 TO220SIS
2SK4013 K4013 N MOSFET 45 800 30 4 6 150 45 25 130 1.7 TO220SIS
2SK4014 K4014 N MOSFET 45 900 30 4 6 150 45 25 130 2 TO220SIS
2SK4015 N MOSFET 45 600 30 10 150 42 22 180 0.86 TO220SIS
2SK4016 N MOSFET 50 600 30 4 13 150 62 60 270 0.5 TO220SIS
TK10A60D K10A60D N MOSFET 45 600 30 4 10 150 25 22 135 0.75 TO220SIS
TK10A80E N MOSFET 50 800 30 4 10 150 46 40 150 1 TO220SIS
TK11A60D K11A60D N MOSFET 45 600 30 4 11 150 28 25 165 0.65 TO220SIS
TK11A65D K11A65D N MOSFET 45 650 30 4 11 150 30 30 157 0.7 TO220SIS
TK11A65W N MOSFET 35 650 30 3.5 11.1 150 25 23 23 0.39 TO220SIS
TK12A60D K12A60D N MOSFET 45 600 30 4 12 150 38 40 190 0.55 TO220SIS
TK12A60W N MOSFET 35 600 30 3.7 11.5 150 25 23 23 0.3 TO220SIS
TK12A65D K12A65D N MOSFET 50 650 30 4 12 150 40 35 200 0.54 TO220SIS
TK13A60D K13A60D N MOSFET 50 600 30 4 13 150 40 50 250 0.43 TO220SIS
TK13A65D K13A65D N MOSFET 50 650 30 4 13 150 45 50 280 0.47 TO220SIS
TK14A65W N MOSFET 40 650 30 3.5 13.7 150 35 20 35 0.25 TO220SIS
TK15A60D K15A60D N MOSFET 50 600 30 4 15 150 45 50 280 0.37 TO220SIS
TK16A60W N MOSFET 40 600 30 3.7 15.8 150 38 25 35 0.19 TO220SIS
TK18A60V K18A60V N MOSFET 45 600 30 3.5 18 150 39 40 40 0.19 TO220SIS
TK20A60T K20A60T N MOSFET 45 600 30 20 150 30 40 3800 0.19 TO220SIS
TK20A60W N MOSFET 45 600 30 3.7 20 150 48 25 40 0.155 TO220SIS
TK25A60X N MOSFET 45 600 30 3.5 25 150 40 15 60 0.125 TO220SIS
TK28A65W N MOSFET 45 650 30 3.5 27.6 150 75 25 70 0.11 TO220SIS
TK31A60W N MOSFET 45 600 30 3.7 30.8 150 86 32 70 0.088 TO220SIS
TK35A65W N MOSFET 50 650 30 3.5 35 150 100 30 90 0.08 TO220SIS
TK39A60W N MOSFET 50 600 30 3.7 38.8 150 110 50 90 0.065 TO220SIS
TK4A60D K4A60D N MOSFET 35 600 30 4.4 4 150 12 18 70 1.7 TO220SIS
TK4A60DA K4A60DA N MOSFET 35 600 30 4.4 3.5 150 11 18 55 2.2 TO220SIS
TK4A60DB K4A60DB N MOSFET 35 600 30 4.4 3.7 150 11 18 60 2 TO220SIS
TK4A65DA K4A65DA N MOSFET 35 650 30 4.4 3.5 150 12 18 70 1.9 TO220SIS
TK5A60D K5A60D N MOSFET 35 600 30 4.4 5 150 16 20 80 1.43 TO220SIS
TK5A65D K5A65D N MOSFET 40 650 30 4 5 150 16 20 100 1.43 TO220SIS
TK5A65DA K5A65DA N MOSFET 35 650 30 4.4 4.5 150 16 20 70 1.67 TO220SIS
TK6A60D K6A60D N MOSFET 40 600 30 4 6 150 16 20 100 1.25 TO220SIS
TK6A65D K6A65D N MOSFET 45 650 30 4 6 150 20 25 100 1.11 TO220SIS
TK6A80E N MOSFET 45 800 30 4 6 150 32 20 110 1.7 TO220SIS
TK7A65D K7A65D N MOSFET 45 650 30 4 7 150 24 25 120 0.98 TO220SIS
TK7A90E N MOSFET 45 900 30 4 7 150 32 20 110 2 TO220SIS
TK8A60DA K8A60DA N MOSFET 45 600 30 4 7.5 150 20 25 100 1 TO220SIS
TK8A65D K8A65D N MOSFET 45 650 30 4 8 150 25 22 135 0.84 TO220SIS
TK9A60D K9A60D N MOSFET 45 600 30 4 9 150 24 25 120 0.83 TO220SIS
TK9A90E N MOSFET 50 900 30 4 9 150 46 40 150 1.3 TO220SIS

Всего результатов: 48

Новый элемент

Исследователи из компании Intel, Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли разработали магнитоэлектрический спин-орбитальный (МЭСО) логический элемент, который должен прийти на смену комплементарным структурам металл-оксид-полупроводников (КМОП), то есть обычным транзисторам. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature, о них также сообщила Intel на своем сайте.

Intel считает, что применение МЭСО сможет вывести электронику из тупика, в которой она зайдет, когда миниатюризировать дальше современные транзисторы станет невозможно.

«Мы ищем революционные, а не эволюционные подходы к вычислениям в эпоху пост-КМОП. МЭСО построен вокруг низковольтных соединений и низковольтных магнитоэлектриков. Он объединяет инновации в области квантовых материалов и вычислений», — комментирует открытие Ян Янг (Ian Young), старший научный сотрудник Intel и директор группы исследования интегральных микросхем в группе технологий и производства.

Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.

В соответствии с европейской системой классификации обозначение транзистора состоит из двух букв и трех
цифр (приборы общего применения) или трех букв и двух цифр(приборы специального применения).
Первая буква характеризует материал, из которого сделан транзистор:
А-германий; В- кремний. Вторая буква обозначает область применения прибора:
С-маломощный низкочастотный прибор; D-мощный низкочастотный прибор;F- маломощный высокочастотный прибор;
L-мощный высокочастотный прибор.
Третья буква(если она есть) не несет особой смысловой нагрузки.
Например: транзистор AF115 — общего назначения, германиевый,маломощный, высокочастотный.
Транзистор BD135 — общего назначения, большой мощности, низкочастотный.

Какими же транзисторами можно заменить?

Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные

Главное, что важно знать о них:

  • первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
  • после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
  • затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
  • ну и, наконец, то как передается ток.

Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.

Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.

Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера

Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.

Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.

Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт

И этот аналог пойдет для замены полностью

К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.

К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
Добавить комментарий