Схемы включения транзистора

Характеристики транзистора, включённого по схеме оэ:

Основные элементы схемы: транзистор, резистор RL и цепь выхода усилителя с внешним питанием.

Благодаря незначительной толщине слоя микроны и большой величине градиента концентрации отрицательно заряженных частиц, почти все из них попадают в область коллектора, хотя сопротивление базы достаточно велико. Где транзисторы купить? Транзисторы по праву считаются одним из великих открытий человечества.

При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном — обратное. Его также обозначают как Исходы из выше сказанного транзистор может работать в четырех режимах: Режим отсечки транзистора — в этом режиме переход база-эмиттер закрыт, такое может произойти когда напряжение база-эмиттер недостаточное. Во — первых усиление каскада зависит от конкретного экземпляра транзистора: заменил транзистор при ремонте, — подбирай заново смещение, выводи на рабочую точку.

Ответ может быть да а может и нет. Поскольку ток коллектора в десятки раз больше тока базы, этим объясняется тот факт, что коэффициент усиления по току составляет десятки единиц. Схема с общим коллектором ОК Практические варианты схем включения транзисторов структуры п-р-п и р-п-р приведены на рис. В литературе такое название почему-то почти не встречается, а вот в кругу радиоинженеров и радиолюбителей используется повсеместно, всем сразу понятно, о чем идет речь.

Схемы включения биполярного транзистора

Такое состояние называют рабочей точкой транзистора, в этом случае коэффициент усиления каскада максимален. Граница на втором коллекторном переходе при этом закрыта, и через нее ток протекать не должен. Такой режим работы транзистора рассматривался уже давно. Повышение частоты приводит к снижению реактивной ёмкости коллекторного перехода, что приводит к его существенному шунтированию и ухудшению усилительных свойств каскада. Выводы транзистора звонятся как два диода, соединенные в общей точке в области базы транзистора.

Устройство и принцип действия

В биполярном транзисторе используются два типа носителей заряда — электроны и дырки, отчего такие транзисторы и называются биполярными. Нагрузкой каскада является эмиттерный резистор R2, входной сигнал подается через конденсатор C1, а выходной снимается через конденсатор C2. Сопротивление нагрузки можно изменять в широких пределах, правда, при этом особо усердствовать не надо. Коэффициент усиления транзистора зависит от толщины базы, поэтому изменить его нельзя.

Иногда она применяется для ослабления влияния нагрузки на характеристики высокочастотных генераторов и синтезаторов частоты. Все эти схемы показаны на рисунке 2. Поэтому при построении схем усилителей постоянного тока используют схемы с непосредственными связями между каскадами.
Ключевой режим работы транзистора Схема с общим эмиттером

Ключевой режим работы транзистора  Схема с общим эмиттеромКлючевой режим работы транзистора Схема с общим эмиттером

Эквивалентные схемы биполярного транзистора для включения с об и оэ.

Физическая
Т-образная эквивалентная схема БТ
наряду
с h-параметрами также достаточно полно
отражает свойства реального транзистора
на низких частотах и широко используется
для анализа малосигнальных транзисторных
усилителей. Физические Т-образные
эквивалентные схемы БТ с ОБ и ОЭ
представлены на рис. 4.6, а, б соответственно.
Значения параметров эквивалентных схем
БТ могут быть найдены с использованием
известных h-параметров для включения
БТ:

Поскольку
коэффициенты обратной связи по напряжению

и

для обеих схем включения БТ имеют очень
малую величину, точность их вы-числения
с использованием статических ВАХ
оказывается низкой. В связи с этим расчет
параметров эквивалентной схемы необходимо
начинать с расчета дифференциального
сопротивления эмиттерного перехода:

где–

тепловой
потенциал, равный 26 мВ при Т=300 К;

– ток эмиттера БТ в рабочей точке. С
учетом этого в (4.11) объемное сопротивление
базы БТ необходимо рассчитывать согласно
выражению

Параметры
эквивалентных схем маломощных БТ
принимают следующие ти-повые значения:
дифференциальное
сопротивление эмиттерного перехода

единицы – десятки ом; объемное
сопротивление базы

сотни ом

единицы ки-лоом; выходное
сопротивление в схеме с ОБ

сотни килоом – единицы мегаом; выходное
сопротивление в схеме с ОЭ


десятки – сотни килоом.

Устройство и принцип работы динистора

Структура, УГО и ВАХ динистора приведены на рисунке:

Внешняя p-область называется анодом (А), внешняя n-область называется катодом (К). Три p-n перехода обозначены цифрами 1, 2, 3. Структура динистора 4-х-слойная – p-n-p-n.

Питающие напряжение Е подаётся на динистор таким образом, что 1 из 3 переходы открыты и их сопротивления незначительны, а переход 2 закрыт и все питающие напряжение Uпр приложено к нему. Через динистор протекает небольшой обратный ток, нагрузка R отключена от источника тока питания Е.

При достижении критического напряжения, равному напряжению включения Uвкл переход 2 открывается, при этом все три перехода 1, 2, 3 будут находится в открытом (включенном) состоянии. Сопротивления динистора падает до десятых долей Ома.

Напряжение включения составляет величину нескольких сотен вольт. Динистор открывается, и через него протекают значительные по величине токи. Падение напряжения на динисторе в открытом состояние составляет 1-2 вольта и мало зависит от величины протекающего тока, величина которого равна τa ≈ E / R, а UR ≈ E, т.е. нагрузка подключена к источнику питания Е. Напряжение на динисторе, соответствующее предельно допустимую точку Iоткр.max, называется напряжением открытого состояния Uокр. Предельный допустимый ток составляет величины от сотен мА до сотен А. Динистор находится в открытом состоянии, пока протекающий через него ток не станет меньше тока удержания Iуд. Динистор закрывается при уменьшении внешнего напряжения до величины порядка 1В или при перемене полярности внешнего источника. Поэтому такой прибор используется в цепях переходного тока. Точки В и Г соответствуют граничным значениям токов и напряжений динистора. Время восстановления сопротивления перехода 2 после снятия питающего напряжения составляет порядка 10-30 мкс.

Динисторы по своему принципу – приборы ключевого действия. Во включенном состоянии (участок БВ) он подобен замкнутому ключу, а в выключенном (участок ОГ) — разомкнутому ключу.

Частотные свойства биполярного транзистора

Параметры транзистора зависят от режима работы и частоты усиливаемых сигналов. Так, с увеличением частоты уменьшается абсолютное значение, или модуль, коэффициента передачи тока базы . Модуль коэффициента обозначают ||. Частота, на которой || уменьшается в раз по сравнению с его значением на низкой частоте, называется предельной частотой передачи тока базы . Частота, на которой || уменьшается до 1, называется граничной (или ).

При работе транзистора на частотах, превышающих его усилительные свойства уменьшаются вплоть . На частотах, превышающих fгр, транзистор вообще не усиливает. Поэтому величиныили позволяют судить о возможности работы транзистора в заданном диапазоне частот. По значению граничной частоты все транзисторы подразделяются на низкочастотные (<3 МГц), средней частоты (3 МГц< < 30 МГц) и высокочастотные (>30 МГц). Транзисторы, у которых > 300 МГц, называют сверхвысокочастотными.

В справочниках по полупроводниковым приборам для транзисторов обычно указываются модуль коэффициента передачи тока базы || и частота , на которой определено его значение. По этим данным легко установить граничную частоту:

Например, для транзистора типа ГТ320Б значение ||=6 на частоте =20 МГц. Следовательно, граничная частота этого транзистора = 20 · 6 = 120 МГц.

Виды транзисторов

В первых транзисторах применялся германий, который работал не совсем стабильно. Со временем от него отказалось в пользу других материалов: кремния (самый распространённый) и арсенида галлия. Но все это традиционные полупроводники.

В настоящее время начинают набирать популярность триоды на основе органических материалов и даже веществ биологического происхождения: протеинов, пептидов, молекул хлорофилла и целых вирусов. Биотранзисторы используются в медицине и биотехнике.

Другие классификации транзисторов:

  1. По мощности подразделяются на маломощные (до 0,1 Вт), средней мощности (от 0,1 до 1 Вт) и просто мощные (свыше 1 Вт).
  2. Также разделяются по материалу корпуса (металл или пластмасса), типу исполнения (в корпусе, бескорпусные, в составе интегральных схем).
  3. Нередко их объединяют друг с другом для улучшения характеристик. Такие транзисторы называются составными или комбинированными и могут состоять из двух и более полупроводниковых приборов. Строение и у них простое: эмиттер первого является базой для второго и так далее до необходимого количества триодов. Бывает нескольких типов: Дарлинга (все составляющие с одинаковым типом проводимости), Шиклаи (тип проводимости разный), каскодный усилитель (два прибора, работающие как один с подключением по схеме с общим эмиттером).
  4. К составным относится также и IGBT-транзистор, представляющий собой биполярный, который управляется при помощи полярного триода с изолированным затвором. Такой тип полупроводниковых приборов применяется в основном там, где нужно управлять большим током (сварочные аппараты, городские электросети) или электромеханическими приводами (электротранспорт).
  5. В качестве управления может применяться не ток, а другое электромагнитное воздействие. К примеру, в фототранзисторах в качестве базы используется чувствительный фотоэлемент, а в магнитотранзисторах – материал, индуцирующий ток при воздействии на него магнитного поля.

Технологический предел для транзисторов еще не достигнут. Их размеры уменьшаются с каждым голом, а различные научно-исследовательские институты ведут поиск новых материалов для использования в качестве полупроводника. Можно сказать, что эти полупроводниковые приборы еще не сказали миру своего последнего слова.

Что такое транзисторыЧто такое транзисторы

Режимы работы биполярного транзистора.

Итак, мы рассмотрели активный режим работы транзистора (переход эмиттер-база открыт, переход коллектор-база закрыт), не обойдем вниманием и другие

Режим отсечки. Оба p-n перехода закрыты

Причем важно отметить, что переход эмиттер-база открывается начиная с некоторого значения приложенного прямого напряжения (не с нуля). Это напряжение обычно составляет около 0.6 В

То есть в режиме отсечки либо оба перехода смещены в обратном направлении, либо коллекторный переход – в обратном, а эмиттерный – в прямом, но величина напряжения не превышает 0.6 В.

В данном режиме переходы сильно обеднены свободными носителями заряда и протекание тока практически полностью прекращается. Исключение составляют только малые побочные токи переходов. В идеальном случае (без токов утечки) транзистор в режиме отсечки эквивалентен обрыву цепи.

Режим насыщения. Оба перехода открыты, и в результате основные носители заряда активно перемещаются из коллектора и эмиттера в базу. В базе возникает избыток носителей заряда, ее сопротивление и сопротивление p-n переходов уменьшается и между эмиттером и коллектором начинает течь ток. В идеальном случае транзистор в таком режиме эквивалентен замыканию цепи.

Барьерный режим. Его мы обязательно еще разберем подробнее, вкратце, идея заключается в том, что база напрямую или через небольшое сопротивление соединена с коллектором. Это эквивалентно использованию диода с последовательно подключенным сопротивлением.

Вот и все самые основные режимы работы биполярного транзистора!

Еще очень многое нам предстоит обсудить в рамках изучения транзисторов, а на сегодня, заканчиваем статью! Спасибо за внимание и ждем вас на нашем сайте снова!

Где хранится список баз 1С

В предпусковое окно перечень загружается из файла ibases.v8i и в него же сохраняются все изменения. Файл содержит текст и открывается любым текстовым редактором, например, Блокнот.

Файлов ibases.v8i на компьютере может быть несколько: по одному у каждого пользователя 1С. Список баз 1С 8.3 (где хранится индивидуальная настройка под каждого пользователя) — это удобно: так сотрудники с разными обязанностями будут видеть только свои базы.

Редактировать файл можно как вручную, так и через окно запуска, которое автоматически запишет все изменения в ibases.v8i. Вносить корректировки в сам файл стоит только продвинутым пользователям, понимающим суть своих действий.

Ibases.v8i расположены в папках пользователей: …\\AppData\Roaming\1C\1CEStart. Если папки AppData нет, то чтобы отобразить ее в Windows 7:

  • перейдите в каталог одноименного пользователя;
  • в левом верхнем углу кнопка Упорядочить — Параметры папок и поиска;
  • на странице Вид поставьте флаг Показывать скрытые файлы, папки и диски.

Расшифровка файла ibases.v8i

В файле сохраняются параметры всех регистрированных баз пользователя, в папке которого находится файл. Каждая характеристика расположена в отдельной строке.

Расшифровка параметров построчно:

  • — наименование базы в стартовой форме, указывается в квадратных скобках;
  • Connect=File=»D:\Мои документы\1С Предприятие\Базы\1C бух» — путь к базе 1С, возможны варианты:
    • Connect=File=<Путь> — при работе программы в файловом режиме;
    • Connect=Srvr=<Сервер1С>;Ref=<НаименованиеБазы1С> — при клиент-серверном режиме;
  • ID=38c59761-56e6-4d55-91b9-a04a9065c2ab — индивидуальный номер базы, формируется автоматически;
  • OrderInList=2 — порядковый номер базы в перечне. Параметр применяется, если в стартовой форме не настроена сортировка по алфавиту;
  • Folder=/ — группа-владелец в окне запуска 1С при древовидной структуре отображения;
  • OrderInTree=1 — последовательность базы в группе;
  • External=0 — значение параметра всегда 0, иначе база не отображается в начальном окне;
  • ClientConnectionSpeed — уровень скорости отклика базы, возможны виды:
    • Normal — стандарт;
    • Low — низкий;
  • App — режим запуска конфигурации, варианты:
    • Auto — выбирать автоматически;
    • ThinClient — тонкий клиент;
    • ThickClient— толстый клиент;
    • WebClient— web-клиент;
  • WA— аутентификация при входе в программу:
    • 1— используется учетная запись операционной системы;
    • — запрашиваются данные пользователя 1С (логин и пароль);
  • Version=8.3 — версия платформы.

Важные рекомендации

Необходимо помнить, что:

  • При снятии опалубки можно приниматься за установку иных строительных элементов;
  • Завершающий этап — снятие опорных балок, вышек, туров;
  • Работы по демонтажу ведутся сверху вниз. Основное направление – горизонтальное. На углах основания смесь застывает быстрее;
  • Демонтировать стоечные элементы, щиты необходимо с максимальной аккуратностью – иначе, есть риск повредить слой. Приводит к невозможности повторного использования;
  • Элементы предварительно требуется смазать составом, который помогает уменьшить схватываемость. Опалубка убирается быстрее.

https://youtube.com/watch?v=1FmWV43Ev_0

Характеристики обратной связи по напряжению в схеме с об

Эти
характеристики отображают сравнительное
воздействие напряжений на эмиттере и
коллекторе на ток IЭ.
Расстояние
между характеристиками увеличивается
при равных приращениях
IЭ.

Видно,
что влияние напряжения Uэна
IЭзначительное,
в то же время влияние UK(за
счёт
модуляции ширины базы) слабое. С ростом
UKнапряжение
Uэнесколько
падает.

Статические
характеристики в схеме с ОЭ Входные
характеристики Iб=f(Uбэ)
при Uкэ=
const.

При
Uбэ=0
и Uкэ<0,
ток
Iб
=

IК0.
С
увеличением отрицательного напряжения
Uкэ
характеристика
вначале резко смещается вправо, ток Iбуменьшается,
т.к. уменьшение ширины базы снижает
вероятность рекомбинации в базе
неосновных носителей.

При
дальнейшем увеличении — Uкэхарактеристики
почти сливаются, т.е. Uкэне
влияет. Это
объясняется тем, что коллекторный
переход оказывается закрыт, его
сопротивление резко возрастает и влияние
потенциала коллектора на входную цепь
прекращается. Последнее позволяет при
расчётах пользоваться статической
характеристикой как динамической.

0 Рис.3. Семейство входных статических характеристик транзистора в схеме с общей базой.

Эмиттерный
p-n-переход в активном режиме включен в
прямом направлении, поэтому входные
характеристики транзистора похожи на
прямую ветвь ВАХ диода. С возрастанием
абсолютного значения напряжения на
коллекторном переходе происходит
сме­щение входных ВАХ влево, т.е. рост
тока через переход эмит­тер-база. Это
объясняется тем, что при нарастании
напряжения Vкб
происходит увеличение ширины ОПЗ
перехода коллектор-ба­за, соответственно
уменьшается эффективная толщина
базы. Данное обстоятельство увеличивает
градиент концентрации распределения
неосновных носителей в базовой области
и как следствие рост эмиттерного
тока при неизменном напряжении
эмиттер-база.

Режимы работы

Транзистор биполярного типа может работать в 4 режимах:

  1. Активный.
  2. Отсечки (РО).
  3. Насыщения (РН).
  4. Барьерный (РБ).

Активный режим БТ бывает нормальным (НАР) и инверсным (ИАР).

Watch this video on YouTube

Нормальный активный режим

При этом режиме на переходе Э-Б протекает U, которое является прямым и называется напряжением Э-Б (Uэ-б). Режим считается оптимальным и используется в большинстве схем. Переход Э осуществляет инжекцию зарядов в базовую область, которые перемещаются к коллектору. Последний ускоряет заряды, создавая эффект усиления.

Инверсный активный режим

В этом режиме переход К-Б открыт. БТ работает в обратном направлении, т. е. из К идет инжекция дырочных носителей заряда, проходящих через Б. Они собираются переходом Э. Свойства ПП к усилению слабые, и редко БТ применяются в этом режиме.

Режим насыщения

При РН оба перехода открыты. При подключении Э-Б и К-Б к внешним источникам в прямом направлении БТ будет работать в РН. Диффузионное электромагнитное поле Э и К переходов ослабляется электрическим полем, которое создается внешними источниками. В результате этого произойдет уменьшение барьерной способности и ограничение диффузной способности основных носителей заряда. Начнется инжекция дырок из Э и К в Б. Этот режим применяется в основном в аналоговой технике, однако в некоторых случаях возможны исключения.

Режим отсечки

При этом режиме БТ закрывается полностью и не способен проводить ток. Однако в БТ присутствуют незначительные потоки неосновных носителей зарядов, создающих тепловые токи с малыми значениями. Применяется этот режим в различных видах защиты от перегрузок и коротких замыканий.

Барьерный режим

База БТ соединяется через резистор с К. В цепь К или Э включается резистор, который задает величину тока (I) через БТ. БР часто применяется в схемах, т. к. позволяет работать БТ на любой частоте и в большем диапазоне температур.

Главное о базах данных

  • Чаще все­го базы дан­ных напо­ми­на­ют таб­ли­цы: в них одно­му пара­мет­ру соот­вет­ству­ет один набор дан­ных. Напри­мер, один кли­ент — одно имя, один теле­фон, один адрес.
  • Такие «таб­лич­ные» базы дан­ных назы­ва­ют­ся реляционными.
  • Что­бы стро­ить слож­ные свя­зи, раз­ные таб­ли­цы в реля­ци­он­ных базах мож­но свя­зы­вать меж­ду собой: ста­вить ссылки.
  • Реля­ци­он­ная база — не един­ствен­ный спо­соб хра­не­ния дан­ных. Есть ситу­а­ции, когда нам нуж­на боль­шая гиб­кость в хранении.
  • Быва­ют сете­вые базы дан­ных: когда нуж­но хра­нить мно­го свя­зей меж­ду мно­же­ством объ­ек­тов. Напри­мер, ката­лог филь­мов: в одном филь­ме может участ­во­вать мно­го чело­век, а каж­дый из них может участ­во­вать во мно­же­стве фильмов.
  • Быва­ют иерар­хи­че­ские базы, или «дере­вья». При­мер — наша фай­ло­вая система.
  • Какую выбрать базу — зави­сит от зада­чи. Одна база не луч­ше дру­гой, но они могут быть более или менее под­хо­дя­щи­ми для опре­де­лён­ных задач.

Текст и иллю­стра­ции:Миша Поля­нин
Редак­тор:Мак­сим Ильяхов
Кор­рек­тор:Ира Михе­е­ва
Иллю­стра­тор:Даня Бер­ков­ский
Вёрст­ка:Маша Дро­но­ва
Достав­ка:Олег Веш­кур­цев
Что-то дела­ет рука­ми:Паша Федо­ров
Во сла­ву:Прак­ти­ку­ма

Электрические параметры

IвыхIвх=IкIэ=α,{\displaystyle I_{\text{вых}}/{I_{\text{вх}}}=I_{\text{к}}/I_{\text{э}}=\alpha ,} (α<1),{\displaystyle (\alpha <1),}

Входное дифференциальное сопротивление (сопротивление для малого сигнала):

rвх=dUвхdIвх=dUэбdIэ.{\displaystyle r_{\text{вх}}=dU_{\text{вх}}/dI_{\text{вх}}=dU_{\text{эб}}/dI_{\text{э}}.}

Входное дифференциальное сопротивление для схемы с общей базой существенно зависит от тока эмиттера и относительно мало. Для маломощных транзисторов при малых токах базы не превышает сотни—единицы кОм, для мощных — единицы—десятки Ом, так как входная цепь каскада при этом представляет собой открытый эмиттерный p-n переход транзистора, вольт-амперная характеристика которого близка к таковой у прямосмещённого полупроводникового диода.

Выходное дифференциальное сопротивление коллектора существенно выше чем у каскада с общим эмиттером, так как изменения напряжения на коллекторе при фиксированном напряжении на эмиттере относительно базы мало изменяют ток коллектора. Фактически, полное выходное дифференциальное сопротивление каскада представляет собой в эквивалентной схеме параллельное соединение коллекторного резистора и дифференциального выходного коллекторного сопротивления транзистора. Так как дифференциальное выходное коллекторное сопротивления транзистора обычно многократно больше сопротивления коллекторного резистора, то обычно оказывается, что выходное дифференциальное сопротивление каскада практически равно сопротивлению коллекторного резистора.

При включении в коллектор каскада ОЭ колебательного контура при построении частотноизбирательного усилителя выходное коллекторное сопротивление слабо нагружает контур и поэтому меньше снижает его добротность.

Силовые (мощные) полупроводниковые приборы

Мощные полупроводниковые приборы находят применение в энергетической электронике, наиболее интенсивно развивающейся и перспективной области техники. Они предназначены для управления токами в десятки, сотни ампер, напряжениями в десятки, сотни вольт.

К мощным полупроводниковым приборам относятся тиристоры (динисторы, тринисторы, симисторы), транзисторы (биполярные и полевые) и биполярные статически индуцированные транзисторы (IGBT). Они используются в качестве электронных ключей, выполняющих коммутацию электронных схем. Их характеристики стараются приблизить к характеристикам идеальных ключей.

По принципу действия, характеристикам и параметрам мощные транзисторы подобны маломощным, однако имеются определенные особенности.

Как скопировать перечень

Для переброски другому пользователю программы, работающему на этом же компьютере:

  • найдите файл ibases.v8i в каталоге пользователя 1С, где хранится список баз;
  • скопируйте файл;
  • откройте папку \Users\\AppData\Roaming\1C\1CEStart;
  • вставьте скопированный файл.

В результате оба пользователя будут видеть в окне запуска одинаковый список баз, последовательность баз и структура списка так же будут идентичны. Пользователь, которому скопировали файл, может изменить, настроить перечень под себя, и эти манипуляции не отразятся на стартовой форме первичного юзера.

Если список копируется на другой компьютер в локальной сети, последовательность действий будет та же, но каталоги, где хранятся базы 1С:

  • должны быть открыты для общего доступа, чтобы компьютер конечного пользователя мог до них дотянуться;
  • при файловом режиме работы 1С в параметре Connect=File=<Путь> в файле ibases.v8i пути ко всем базам прописываются с указанием имени компьютера, на котором они физически находятся. Т. е. когда база данных расположена на том же компьютере, откуда ее запускают, то достаточно указать путь к папке на диске D:\\1С Предприятие\Базы\1C Бухгалтерия. Для старта программы из сети добавляют имя компьютера \\Tanya-pc\1С Предприятие\Базы\1C Бухгалтерия. Проверьте пути в окне запуска.

Настраивать перечень удобней в начальном окне, а файл ibases.v8i используют для быстрого копирования настроек другим пользователям и удаленного просмотра параметров отображаемых баз.

Навигация

  • МИКРОСХЕМЫ
  • ЭЛЕКТРОННЫЕ КЛЮЧИ
  • АКТИВНЫЕ ФИЛЬТРЫ
  • ИСТОЧНИКИ ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ
  • ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ КОЛЕБАНИЯ И ВОЛНЫ
  • АКУСТИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ
  • ДИНАМИЧЕСКИЕ ГРОМКОГОВОРИТЕЛИ
  • ЭЛЕКТРОСТАТЫ
  • РУПОРНЫЕ КОЛОНКИ
  • САБУФЕР
  • ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫЕ ТЕЛЕФОНЫ
  • МИКРОФОНЫ
  • АНАЛОГОВЫЕ КОМПАРАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ
  • УСИЛИТЕЛИ
    • Бестрансформаторные двухтактные каскады на транзисторах
    • Влияние ОС на параметры усилителей
    • Выходные каскады усилителей
    • Выходные усилители мощности
    • Двухтактный каскад, работающий в классе А
    • Дифференциальный усилитель
    • Дрейф нуля.
    • КЛАССИФИКАЦИЯ УСИЛИТЕЛЕЙ ЗВУКОВЫХ ЧАСТОТ
    • КПД усилителей, работающих в классе А
    • Каскады мощного усиления (входные каскады).
    • Каскады предварительного усиления
    • Каскады предварительного усиления
    • Классификация и основные параметры усилителей
    • Классы AB и В работы двухтактного каскада
    • Классы усиления транзисторных усилительных каскадов
    • Новые режимы работы (классы)
    • ОБРАТНЫЕ СВЯЗИ В УСИЛИТЕЛЯХ
    • ОСНОВНЫЕ ТИПЫ КАСКАДОВ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ ОДНОТАКТНЫЕ И ДВУХТАКТНЫЕ
    • Обратная связь в усилителях
    • Обратная связь в усилителях и схемы их построения
    • Общие сведения о уси­лителях гармонических и импульсных сигналов
    • Однотактный трансформаторный каскад, работающий в классе А
    • Основные механические показатели усилителей
    • Основные показатели
    • Основные характеристики и параметры усилителей
    • Рабочие режимы усилительных элементов
    • Способы обеспечения рабочего режима транзистора
    • Сравнение схем включения транзисторов
    • Схемы межкаскадной связи.
    • Усилители постоянного тока
    • Усилитель на биполярном транзисторе с общим эмиттером
    • Усилитель на полевом транзисторе
    • Факторы, влияющие на тепловой режим РЭА
  • ЭЛЕМЕНТЫ УСИЛИТЕЛЕЙ
  • «THX» Tomlinson Holman eXperiment
  • HI-FI И HIGH-END
  • МИРОВЫЕ ШКОЛЫ ЭЛЕКТРОАКУСТИКИ
  • «СТАРЫЙ ВИНИЛ»
  • ЗВУКОВЫЕ КОМПАКТ-ДИСКИ
  • МАГНИТНАЯ ЗАПИСЬ
  • ЦИФРОВЫЕ МАГНИТОФОНЫ
  • ЦИФРОВОЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ЗВУКОВЫХ СИГНАЛОВ
  • ЗВУК И КОМПЬЮТЕР
  • MIDI
  • ГЕНЕРАТОРЫ СИГНАЛОВ
  • Операционные усилители.
  • ЭЛЕКТРОПИТАНИЕ
  • КАНАЛЫ И СИСТЕМЫ СВЯЗИ
  • ОСНОВЫ ТЕЛЕВИДЕНИЯ
  • РАДИОПРИЁМ
  • АНТЕННО-ФИДЕРНЫЕ УСТРОЙСТВА
  • ЭЛЕКТРОРАДИОМАТЕРИАЛЫ
  • ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
  • ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛАМПЫ
  • РЕЗИСТОРЫ
  • СТАБИЛИТРОНЫ
  • ВАРИКАПЫ
  • ДИОДЫ
  • ТИРИСТОР
  • ТРАНЗИСТОРЫ
  • ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР
  • ОСНОВНЫЕ СВОЙСТВА СЛУХА
  • АКУСТИКА ЗАКРЫТЫХ ПОМЕЩЕНИЙ
  • КОНСТРУКТОРСКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ
  • ВОЗДЕЙСТВИЕ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ НА РАДИОЭЛЕКТРОННУЮ АППАРАТУРУ
  • ТЕХНОЛОГИИ ПРИБОРОСТРОЕНИЯ
  • Карта сайта
  • статьи
  • СИГНАЛЫ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ
  • ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЦЕПИ
  • sitemap

Схема с общим коллектором

Схема с общим коллектором обычно применяется для получения высокого
входного сопротивления. Коэффициент усиления по мощности данной схемы включения транзистора меньше по сравнению со схемой с
общим эмиттером и соизмерим с коэффициентом усиления схемы с общей базой. Это связано с тем, что схема включения транзистора
с общим коллектором не усиливает по напряжению. В данной схеме производится усиление только по току. Функциональная схема
включения транзистора с общим коллектором приведена на рисунке 3.

На схеме, приведенной на рисунке 5, цепи питания коллектора и базы не показаны. В качестве входного сопротивления
схемы включения транзистора с общим коллектором служит сумма сопротивления базы транзистора (как в схеме с общим эмиттером)
и пересчитанного ко входу сопротивления резистора в цепи эмиттера, поэтому входное
сопротивление схемы с общим коллектором очень велико. Её входное сопротивление самое большое из всех схем включения транзистора.

Амплитудно-частотная характеристика схемы включения транзистора с общим коллектором достаточно широкополосна. Однако полоса
пропускания усилителя может быть серьёзно ограничена из-за шунтирования высокого входного сопротивления схемы с общим коллектором
паразитными емкостями, поэтому в основном схема с общим коллектором применяется в качестве буферного усилителя с высоким входным
сопротивлением. Иногда она применяется для ослабления влияния нагрузки на характеристики высокочастотных генераторов и синтезаторов
частоты.

Биполярные транзисторы

Транзисторы можно рассматривать как своего рода переключатели, такие же как и многие электронные компоненты, например, реле или вакуумные лампы. Транзисторы применяются в различных схемах, и редко какая схема обходится без них, даже сейчас, при широком использовании микросхем. Существует два основных вида биполярных транзисторов – n-p-n и p-n-p, они различаются по проводимости.

Два схожих по параметрам транзистора разных проводимостей называют комплементарной парой. Если в какой-нибудь схеме, например, в усилителе, заменить транзисторы одного вида на транзисторы другого вида со схожими параметрами (не забыв изменить при этом полярность питающих напряжений, электролитических конденсаторов и полупроводниковых диодов), то схема будет работать точно так же, за исключением СВЧ диапазона, поскольку n-p-n транзисторы являются более высокочастотными, чем p-n-p, и здесь возможно не удастся подобрать комплементарную пару.

Биполярный транзистор – трёхэлектродный полупроводниковый прибор, разновидность транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости.

Чаще всего в схемах применяют транзисторы структуры n-p-n. Это связано с тем, что в схемах эмиттеры транзисторов соединены с отрицательным источником питания.

Соответственно и общий провод схемы так же будет соединён с отрицательным выводом источника питания, что является общепринятым стандартом.

Транзисторы выпускаются в различных корпусах, но все они имеют три вывода (у высокочастотных транзисторов иногда имеется и четвёртый вывод, соединённый с металлическим корпусом – экраном):

  • База- это управляющий вывод;
  • Коллектор- находится под положительным потенциалом (для n-p-n транзистора);
  • Эмиттер- находится под отрицательным потенциалом (для n-p-n транзистора).
Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
Добавить комментарий