Фотодиод

Обозначение и расшифровка диодов

Обозначение выпрямительного диода на схеме согласно “ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые”.
В приложении данного ГОСТа указаны размеры в модульной сетке. Выглядит это следующим образом:

Существуют различные варианты обозначения диодов.

Согласно ОСТ 11366.919-81 следующее буквенно-цифровое обозначение:

  • 1) первая буква или цифра указывает на материал:
    • 1 (Г) — германий Ge
    • 2 (К) — кремний Si
    • 3 (А) — галлий Ga
    • 4 (И) — индий In
  • 2) Вторая буква — это подкласс полупроводникового прибора. Для нашего случая — это буква Д.
  • 3) Третья цифра — функционал элемента в зависимости от класса (диоды, варикапы, стабилитроны и др.).

Например, для выпрямительных диодов (Д):

101…199 — диоды малой мощности с постоянным или средним значением прямого тока менее 0,3А.

201…299 — диоды средней мощности с постоянным или средним значением прямого тока от 0,3 до 10А.

Также существуют диоды большой мощности с током более 10А. Отвод тепла у диодов малой мощности осуществляется через корпус, у диодов средней и большой мощности через теплоотводящие радиаторы.

До 1982 года была другая классификация:

  • первая Д — характеризовала весь класс диодов
  • далее шел цифровой код:
    • от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов
    • от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов
    • от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов
    • от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов
    • от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов
    • от 501 до 600 — для умножительных диодов
    • от 601 до 700 — для видеодетекторов
    • от 701 до 749 — для параметрических германиевых диодов
    • от 750 до 800 — для параметрических кремниевых диодов
    • от 801 до 900 — для стабилитронов
    • от 901 до 950 — для варикапов
    • от 951 до 1000 — для туннельных диодов
    • от 1001 до 1100 — для выпрямительных столбов
  • третья цифра — разновидность групп однотипных приборов

Система JEDEC (США)

  • первая цифра — число p-n переходов (1 — диод; 2 — транзистор; 3 — тиристор)
  • далее N (типа номер) и серийный номер
  • после может идти пару цифр про номиналы и отдельные характеристики диода

Система Pro Electron (Европа)

По данной системе приборы делятся на промышленные и бытовые. Бытовые кодируются двумя буквами и тремя цифрами от 100 до 999. У промышленных приборов будет идти три буквы и две цифры от 10 до 99. Для диодов:

  • 1) первая буква:
    • A — германий Ge
    • B — кремний Si
    • C — галлий Ga
    • R — другие полупроводники
  • 2) Вторая буква — это буква A, указывающая на маломощные импульсные и универсальные диоды.
  • 3) Третья буква отвечает за принадлежность элемента к сфере специального применения (промышленность, военная). “Z”, “Y”, “X” или “W”.
  • 4) Четвертая — это 2х, 3х или 4х-значный серийный номер прибора.
  • 5) Дополнительный код — в нем для выпрямительных диодов указывается максимальная амплитуда обратного напряжения.

Система JIS (Япония)

Применяется в странах Азии и тихоокеанского региона.

  • первая цифра — число переходов (0 — фототранзистор, фотодиод; 1 — диод; 2 — транзистор; 3 — тиристор)
  • затем буква S (semiconductors) — полупроводниковые
  • затем буква, отвечающая за тип прибора:
    • A — ВЧ транзисторы p-n-p
    • B — НЧ транзисторы p-n-p
    • С — ВЧ транзисторы n-p-n
    • D — НЧ транзисторы n-p-n
    • E — диоды
    • F — тиристоры
    • G — диоды Ганна
    • H — однопереходные транзисторы
    • J — полевые транзисторы с p-каналом
    • K — полевые транзисторы с n-каналом
    • M — симметричные тиристоры
    • Q — светоизлучающие диоды
    • R — выпрямительные диоды
    • S — малосигнальные диоды
    • T — лавинные диоды
    • V — варикапы, p-i-n диоды, диоды с накоплением заряда
    • Z — стабилитроны, стабисторы, ограничители

В нашем случае будет буква R.

Рег. номер прибора
Модификация прибора
Далее может идти индекс, описывающий специальные свойства

Существуют и специальные обозначения от фирм-изготовителей, которые отличаются от приведенных выше.

Вольт-амперная характеристика — фотодиод

Вольт-амперные характеристики фотодиода в этом режиме при разных значениях световых потоков показаны в III квадранте рис. 8.5, а и соответственно этому квадранту на рис. 8.5, в. Как видно, эти характеристики аналогичны коллекторным ( выходным) характеристикам биполярного транзистора, включенного по схеме с ОБ ( см. рис. 5.7, б), только параметром является не ток эмиттера, а световой поток фотодиода. Как видно из построения, ток мало зависит от приложенного напряжения.

Вольт-амперные характеристики фотодиода ( а, схема включения в режиме фотопреобразователя ( 6 и построение нагрузочной прямой для режима фотопреобразователя ( в.

Вольт-амперные характеристики фотодиода в этом режиме при разных значениях световых потоков показаны в III квадранте ( см. рис. 8.5, а) и соответственно этому квадранту на рисунке 8.5, в. Как видно, эти характеристики аналогичны коллекторным ( выходным) характеристикам биполярного транзистора, включенного по схеме с ОБ ( см. рис. 5.7, б), только параметром является не ток эмиттера, а световой поток фотодиода. Как видно из построения, ток мало зависит от приложенного напряжения.

Амплитудный модулятор переменного напряжения световым потоком.

Поскольку вольт-амперные характеристики фотодиода имеют насыщенный характер, величина напряжения питания входной цепи может изменяться в широких пределах. Его минимальная величина ограничивается ординатой точки выходной характеристики, соответствующей нужному току базы, а максимальная — допустимым для данного фотодиода напряжением.

Фотодиод в. фотодиодном режиме.| Семейство вольт-амперных характеристик фотодиода.

Семейство вольт-амперных характеристик фотодиода расположено в квадрантах I, III и IV. Фотоуправление током через диод становится невозможным.

Семейство вольт-амперных характеристик фотодиода напоминает семейство выходных характеристик транзистора с общей базой. Световой поток играет роль эмиттера, инжектирующего подвижные носители заряда, которые, диффундируя к переходу, как коллектору, собираются им. При полном затемнении ( Ф 0) через фотодиод протекает тем новой ток / т, равный сумме обратного тока насыщения р-и-перехода и тока утечки. Величина / т мала и составляет у германиевых фотодиодов 10 — 30 мка, у кремниевых — 1 — 3 мка. Флуктуации темнового тока ограничивают минимальную величину светового потока, который можно зарегистрировать фотодиодом. С ростом светового потока ток фотодиода увеличивается. Характерной особенностью рабочей области вольт-амперных характеристик является практически полная независимость тока фотодиода от приложенного напряжения. Такой режим наступает при обратных напряжениях на диоде порядка 1 в

Так как темновой ток мал, то отношение тока при освещении к тем-новому току велико, что весьма важно при индикации освещения.

Схема фотореле.

На графике вольт-амперной характеристики фотодиода наносится линия нагрузки. В случае активного сопротивления — это прямая. Лшт / н — Координаты точки пересечения нагрузочной лини с вольт-амперной характеристикой фотодиода соответствуют искомым величинам.

Вольт-амперные характеристики фотодиода в фотогальвани — ческом режиме.

Квадрант IV семейства вольт-амперных характеристик фотодиода соответствует фотогальваническому режиму работы фотодиода.

Светоизлучающие диоды.

По сравнению с вольт-амперными характеристиками фотодиодов они отличаются значительно большим тем-новым током, составляющим десятые доли миллиампер.

Схемы включения фотоэлектрических преобразователей.

Ультрафиолетовые детекторы

Хотя кремний чувствителен в первую очередь к видимым длинам волн, кремниевый фотодиод можно оптимизировать для улучшения отклика и в ультрафиолетовом диапазоне. Эти устройства называются кремниевыми ультрафиолетовыми фотодиодами.

Вы, наверное, знакомы с карбидом кремния (SiC). Это набирающий популярный полупроводниковый материал, который в первую очередь ассоциируется с мощными полевыми MOSFET транзисторами, но оказывается, что диоды из SiC отлично подходят для использования в качестве детекторов ультрафиолетового излучения.

Фотодиоды из карбида кремния – это прочные устройства, которые по своей природе чувствительны только к ультрафиолетовому свету в диапазоне от 200 до 400 нм.

Рисунок 2 – Нормализованный спектральный отклик фотодиода из карбида кремния, производимого Electro Optical Components

Этот ограниченный спектральный отклик означает, что SiC-фотодиоды не требуют оптической фильтрации в системах, которые должны предотвращать влияние видимого или инфракрасного света на измерения в ультрафиолетовом диапазоне.

Если вам необходимо только расширить чувствительность до ультрафиолетового излучения, кремниевые ультрафиолетовые фотодиоды – это именно то, что вам нужно. Они сохраняют свою чувствительность в видимом диапазоне; на самом деле их чувствительность к видимому свету намного выше, чем к инфракрасному излучению.

Математическая зависимость между силой падающего света и генерируемым фототоком называется чувствительностью. Пиковая чувствительность SiC-фотодиодов довольно низкая по сравнению с пиковой чувствительностью кремниевых фотодиодов, но пиковая чувствительность кремния не имеет отношения к ультрафиолетовым приложениям, потому что она возникает далеко от длин волн ультрафиолетового излучения. Чувствительность SiC аналогична чувствительности кремния, если мы говорим только про участок спектра 200–400 нм.

Смотрите также

Ток — фотодиод

Фотоэлектронное Бесконтактное фотоэлектрон.

В исходном состоянии, например при Ф 0, ток, протекающий через фотодиод, не превышает значения тем-нового тока фотодиода.

При повышении температуры изменяются физические константы материала базы, а также резко возрастают токи насыщения переходов Is ( темповой ток фотодиода), / эо и / ко, что приводит к изменению режима по постоянному току особенно у фототранзистора, включенного по схеме с разомкнутой базой. Так, темновой ток фотодиода возрастает с 5 — 10 мка при 20 С до 100 — 150 мка при 70 С, а темновой ток фототранзисторов с 50 — 100 мка при 20 С до 1 000 — 1 700 мка при 70 С.

Устройство фототранзистора ( а, схема включения ( б и вольтамперные характеристики ( в.

Схематическое устройство фототранзистора, схема включения и его вольтамперные характеристики вместе с нагрузочной линией представлены на рис. 12.10. Темновой ток фототранзистора значительно выше темного тока фотодиода. Он составляет несколько сотен микроампер. Объясняется это тем, что внешнее напряжение, подводимое к транзистору, частично оказывается приложенным к эмиттерному переходу, открывая его. По-существу, темновой ток фототранзистора представляет собой ток 1КЭО обычного транзистора.

Электрическое взаимовлияние в значительной степени зависит от емкостной или индуктивной связи между сравнительно большим управляющим током привода и гораздо меньшим ( 106 раз) током фотодиода. Хотя электрическая связь также может измениться при масштабировании, тем не менее примем, что она постоянна, поскольку определяющий вклад в электрическую связь вносят такие факторы, как соединительные провода и электронные цепи, которые масштабированию не подлежат.

Для повышения быстродействия можно добавить резистор с базы на эмиттер; однако это дает пороговый эффект, поскольку фототранзистор не переходит в состояние проводимости до тех пор, пока ток фотодиода не достигнет величины, достаточной для получения напряжения ивэ на внешнем базовом резисторе, В цифровых схемах порог может оказаться полезным, но в аналоговых приводит к нежелательной нелинейности.

Схемное обозначение фототранзистора.| Схема замещения составного фототранзистора.| Простейшие фотодатчики.| Схема замещения фототранзистора.

Принцип действия фототранзистора хорошо виден из схемы его замещения. Ток фотодиода является базовым током транзистора, который управляет его коллекторным током. Решение же вопроса о том, нужно подключить к схеме вывод базы фототранзистора или оставить его неподключенным, зависит от выбранной схемы измерения. Фототранзисторы, у которых базовый электрод вообще не выведен, иногда называют двойным фотодиодом.

Схемы включения фототранзистора.

Биполярный фототранзистор подобен обычному биполярному транзистору ( см. § 13), между выводами коллектора и базы которого включен фотодиод. Таким образом, ток фотодиода оказывается током базы фототранзистора и создает усиленный в п раз ток р цепи коллектора. Если на фототранзистор подается только электрический сигнал, его параметры почти не отличаются от параметров обычного транзистора.

Внутренний фотоэффект в р-п переходе.

Качество фотодиода определяется прежде всего эффективностью управления фототоком с помощью излучения. Именно оптическое управление током фотодиода определяет особенности его режимов работы. Сравним с этих позиций принцип действия обычного ( выпрямительного) диода и фотодиода.

Схема включения фотодиода.| Характеристики фотодиода.

При полном затемнении ( Ф 0) через фотодиод протекает темновой ток, который равен сумме тока утечки и обратного тока насыщения р — — перехода. С ростом светового потока ток фотодиода увеличивается. В рабочей области вольт-амперных характеристик ток фотодиода практически полностью не зависит от приложенного-напряжения, что является характерной особенностью рабочей области вольт-амперных характеристик. Такой режим наступает при обратных напряжениях на диоде порядка 1 В.

5.5. Шумы фотодиодов. Эквивалентная шумовая схема фотодиода

Шумы фотодиодов подразделяются на шумы фототока и шумы темнового тока.

Шумы темнового тока обусловлены шумом движения свободных носителей, шумом тепловой генерации пар носителей зарядов, шумом рекомбинации пар, шумом движения пар, шумом исчезновения свободных носителей, температурными изменениями.

Шум фототока (дробовый шум) обусловлен квантовыми процессами случайного возникновения пар носителей зарядов, шумом фоновой засветки, шумом отражения и поглощения в окне, шумом генерации и рекомбинации пар и т. д.

Шум фототока оценивается дисперсией среднего значения

(5.12),

где F(G) – шум-фактор ЛФД, D f – полоса частот сигнала и полоса пропускания ЛФД.

Фоновый шум, возникающий при случайной засветке фотодиода, оценивается аналогично (4.12):

(5.13),

где – ток фоновой засветки.

Тепловой шум вызывается случайным тепловым движением электронов в нагрузке фотодетектора

(5.14)

где K – постоянная Больцмана, Т – температура в градусах по Кельвину, D f – полоса частот сигнала.

Шум темнового тока обусловлен дисперсией темнового тока

(5.15).

Результирующее действие шумов определяется при объединении всех источников шумовых токов в виде эквивалентной схемы (рисунок 5.9).

(5.16)

При завершении раздела необходимо отметить, что к шумам приемника должны в расчетах добавляться шумы оптического передатчика.

Рисунок 5.14. Шумовая схема фотодиода

Контрольные вопросы

  1. Какой прибор называется фотодетектором?
  2. Какие требования предъявляются к фотоприемникам систем связи?
  3. Что такое фотодиод?
  4. Как устроен p-i-n фотодиод?
  5. Какое назначение имеет просветляющий слой фотодиода?
  6. Какие характеристики имеет фотодиод?
  7. Какие преимущества имеет ЛФД перед p-i-n?
  8. Каким образом может быть повышено быстродействие фотодиода?
  9. Чем определяется коэффициент умножения ЛФД?
  10. Что представляет собой характеристика линейности детектирования ЛФД?
  11. Почему ЛФД нуждается в регулируемом источнике Есм?
  12. Какие шумы могут возникать в ЛФД?
  13. Какие элементы составляют шумовую схему фотодиода?
  14. Какие преимущества имеют фотодетекторы конструкции TAP?
  15. Что особенного в конструкции приборов TAP?

6.2.3. Схемы включения фотодиодов

В
простейшем случае ФД можно непосредственно
подключить к входу усилителя напряжения
с высоким входным сопротивлением (рис.
6.2а), который усиливает напряжение Uф,
величина которого равна

. (6.4)

Такая схема получила
название фотовольтаическая.

В этой схеме ток
через фотодиод не течет, напряжение
Uвых=К·Uф,
гдеК– коэффициент усиления
усилителя напряжения. Фотодиод работает
в режиме холостого хода, напряжение на
нем равноUфх.
Поскольку ток равен нулю, нагрузочная
кривая на вольтамперной характеристике
совпадает с осьюU.

По
вольтамперной характеристике ФД
можно определить ЭДС
холостого хода Uфх
(рис. 6.1).
Недостатком этой схемы является
нелинейная связь между фототоком, а,
следовательно, и оптической мощностью
и выходным напряжением.

В
другом случае (рис. 6.2б) ФД
подключается к входу УФТ,
выполненного на основе операционного
усилителя и резистора R
в цепи отрицательной обратной связи.
Такая схема называется трансимпедансной,
так как ее коэффициент передачи, равный
отношению выходного напряжения к
входному току имеет размерность
сопротивления (импеданса). Она имеет
очень низкое входное сопротивление и
напряжение на ФД
практически равняется нулю. Это
соответствует режиму короткого замыкания.

В этой схеме
напряжение на фотодиоде равно нулю,
напряжение Uвых=
-IфR.
Фотодиод работает в режиме короткого
замыкания, через него течет токIфк.
Поскольку напряжение равно нулю,
нагрузочная прямая на вольтамперной
характеристике совпадает с осьюI.

По
вольтамперной характеристике ФД
можно определить ток короткого замыкания
Iфк.

Достоинствами
трансимпедансной схемы включения
являются высокая линейность преобразования
оптической мощности в выходное напряжение,
а также исключение шума темнового тока,
который в этой схеме отсутствует (на
вольтамперной характеристике при
отсутствии смещенияU=0
темнового тока нет).

а)

б)

в)

г)

Рис. 6.2 Схемы
включения ФД

На
практике, однако, ФД
в ВОСП почти
всегда работают в режиме с обратным
напряжением смещения (рис. 6.2в и г). Как
будет показано ниже, в таких схемах
существенно выше быстродействие ФД. В
этих схемах также возрастает квантовый
выход ФД
и существенно расширяется полоса
пропускаемых им частот.

Схема
на рис. 6.2в является другой разновидностью
трансимпедансной схемы на рис 6.2б. Она
отличается от схемы рис 6.2б только
наличием обратного смещения ФД. ФД по
переменному току также работает в режиме
короткого замыкания.

В этой схеме
напряжение на фотодиоде равно E,
напряжениеUвых=
(Iт‑Iф)R.
Поскольку напряжение равноE,
нагрузочная прямая на вольтамперной
характеристике параллельна осиIи пересекает осьUв
точкеU = E.

В
схеме рис. 6.2г используется УНс высоким
входным сопротивлением,
а для преобразования фототока во входное
напряжение УН
используется резистор R.
При таком включении существенное
значение имеют: входные сопротивление
и емкость УН.

В этой схеме Uвых= -Kу(Iт+Iф)R.
Нагрузочная прямая показана на рис.
6.1.

По
семейству ВАХ (по точкам их пересечения
с нагрузочными кривыми) можно определить
зависимость выходного электрического
сигнала (фототока) от входного оптического.

Классификация и система обозначений

Классификация диодов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного материала (полупроводника) отображается системой условных обозначений их типов. Система условных обозначений постоянно совершенствуется в соответствии с возникновением новых классификационных групп и типов диодов. Обычно системы обозначений представлены буквенно-цифровым кодом.

СССР

На территории СССР система условных обозначений неоднократно претерпевала изменения и до настоящего времени на радиорынках можно встретить полупроводниковые диоды, выпущенные на заводах СССР и с системой обозначений согласно отраслевого стандарта ГОСТ 11 336.919-81, базирующегося на ряде классификационных признаков изделий. Итак,

  1. первый элемент буквенно-цифрового кода обозначает исходный материал (полупроводник), на основе которого изготовлен диод, например:
    • Г или 1 — германий или его соединения;
    • К или 2 — кремний или его соединения;
    • А или 3 — соединения галлия (например, арсенид галлия);
    • И или 4 — соединения индия (например, фосфид индия);
  2. второй элемент — буквенный индекс, определяющий подкласс приборов;
    • Д — для обозначения выпрямительных, импульсных, магнито- и термодиодов;
    • Ц — выпрямительных столбов и блоков;
    • В — варикапов;
    • И — туннельных диодов;
    • А — сверхвысокочастотных диодов;
    • С — стабилитронов, в том числе стабисторов и ограничителей;
    • Л — излучающие оптоэлектронные приборы;
    • О — оптопары;
    • Н — диодные тиристоры;
  3. третий элемент — цифра (или в случае оптопар — буква), определяющая один из основных признаков прибора (параметр, назначение или принцип действия);
  4. четвёртый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа изделия;
  5. пятый элемент — буквенный индекс, условно определяющий классификацию по параметрам диодов, изготовленных по единой технологии.

Например: КД212Б, ГД508А, КЦ405Ж.

Кроме того, система обозначений предусматривает (в случае необходимости) введение в обозначение дополнительных знаков для выделения отдельных существенных конструктивно-технологических особенностей изделий.

Импортные радиодетали

Существует ряд общих принципов стандартизации системы кодирования для диодов за рубежом. Наиболее распространены стандарты EIA/JEDEC и европейский «Pro Electron».

EIA/JEDEC

Дополнительные сведения: Electronic Industries Alliance и Joint Electron Devices Engineering Council

Стандартизированная система EIA370 нумерации 1N-серии была введена в США EIA/JEDEC (Объединенный инженерный консилиум по электронным устройствам) приблизительно в 1960 году. Среди самого популярного в этой серии были: 1N34A/1N270 (германиевый), 1N914/1N4148
(кремниевый), 1N4001—1N4007 (кремниевый выпрямитель 1A) и 1N54xx (мощный кремниевый выпрямитель 3A).

Pro Electron

Дополнительные сведения: Pro Electron

Согласно европейской системе обозначений активных компонентов Pro Electron, введенной в 1966 году и состоящей из двух букв и числового кода:

  1. первая буква обозначает материал полупроводника:
    • A — Germanium (германий) или его соединения;
    • B — Silicium (кремний) или его соединения;
  2. вторая буква обозначает подкласс приборов:
    • A — сверхвысокочастотные диоды;
    • B — варикапы;
    • X — умножители напряжения;
    • Y — выпрямительные диоды;
    • Z — стабилитроны, например:
  • AA-серия — германиевые сверхвысокочастотные диоды (например, AA119);
  • BA-серия — кремниевые сверхвысокочастотные диоды (например: BAT18 — диодный переключатель)
  • BY-серия — кремниевые выпрямительные диоды (например: BY127 — выпрямительный диод 1250V, 1А);
  • BZ-серия — кремниевые стабилитроны (например, BZY88C4V7 — стабилитрон 4,7V).

Другие

Другие распространённые системы нумерации/кодирования (обычно производителем) включают:

  • GD-серия германиевых диодов (например, GD9) — это очень старая система кодирования;
  • OA-серия германиевых диодов (например, OA47) — кодирующие последовательности разработаны британской компанией Mullard.

Система JIS маркирует полупроводниковые диоды, начиная с «1S».

Кроме того, многие производители или организации имеют свои собственные системы общей кодировки, например:

  • HP диод 1901-0044 = JEDEC 1N4148
  • Военный диод CV448 (Великобритания) = Mullard типа OA81 = GEC типа GEX23

Темновой ток

Основная неидеальность, влияющая на фотодиодные системы, называется темновым током, потому что это ток, который течет через фотодиод даже при отсутствии освещения. Полный ток, протекающий через диод, представляет собой сумму темнового тока и фототока. Темновой ток ограничивает способность системы точно измерять низкие интенсивности света, если эти интенсивности создают фототоки величиной, аналогичной величине темнового тока.

Вредное влияние темнового тока можно уменьшить с помощью методов, которые вычитают из тока диода ожидаемый темновой ток. Однако темновой ток сопровождается темновым шумом, то есть формой дробового шума, наблюдаемой как случайные изменения величины темнового тока. Система не может измерять интенсивность света, фототок которой настолько мал, что теряется в этом темновом шуме.

Описание

Структурная схема фотодиода. 1 — кристалл полупроводника; 2 — контакты; 3 — выводы; Φ — поток электромагнитного излучения; Е — источник постоянного тока; RH — нагрузка.

Принцип работы:

При воздействии квантов излучения в базе происходит генерация свободных носителей, которые устремляются к границе p-n-перехода. Ширина базы (n-область) делается такой, чтобы дырки не успевали рекомбинировать до перехода в p-область. Ток фотодиода определяется током неосновных носителей — дрейфовым током. Быстродействие фотодиода определяется скоростью разделения носителей полем p-n-перехода и ёмкостью p-n-перехода Cp-n

Фотодиод может работать в двух режимах:

  • фотогальванический — без внешнего напряжения
  • фотодиодный — с внешним обратным напряжением

Особенности:

  • простота технологии изготовления и структуры
  • сочетание высокой фоточувствительности и быстродействия
  • малое сопротивление базы
  • малая инерционность
Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
Добавить комментарий