P-n-переход и диод

Маркировка диодов

На корпусе диода обычно указывают материал полупроводника, из которого он изготовлен (буква или цифра), тип (буква), назначение или электрические свойства прибора (цифра), букву, соответствующую разновидности прибора, и дату изготовления, а также его условное обозначение.

Условное обозначение диода (анод и катод) указывает, как нужно подключать диод на платах устройств. Диод имеет два вывода, один из которых катод (минус), а другой — анод (плюс).

Условное графическое изображение на корпусе диода наносится в виде стрелки, указывающей прямое направление, если стрелки нет, то ставится знак «+».

На плоских выводах некоторых диодов (например, серии Д2) прямо выштамповано условное обозначение диода и его тип. При нанесении цветового кода, цветную метку, точку или полоску наносят ближе к аноду (рис. 1).

Для некоторых типов диодов используется цветная маркировка в виде точек и полосок (табл. 1). Диоды старых типов, в частности точечные, выпускались в стеклянном оформлении и маркировались буквой «Д» с добавлением цифры и буквы, обозначающих подтип прибора. Германиево-индиевые плоскостные диоды имели обозначение «Д7».

Рис. 1. Нанесение цветового кода на диоды.

Таблица 1 Цветовая маркировка полупроводниковых диодов.

Тип диода

Цвет кольца (к), точки (т)

со стороны катоде (в середине корпуса) со стороны анода

Д2Б

Д2В

Д2Д

Д2Е

Д2Ж

Д2И

 

Белая т.

Оранжевая т

Голубая т.

Зеленая т.

Черная т.

Красная т.

Д9Б

Д9В

Д9Г

Д9Д

Д9Е

Д9Ж

Д9И

Д9К

Д9Л

Красная т.

Оранжевая т.

Желтая т.

Белая т.

Голубая т.

Зеленая и голубая т.

Две желтые т.

Две белые т.

Две зеленые т.

Красная т.

КД102А

КД102Б

Желтая т.

Оранжевая т.

Зеленая т.

Синяя т.

КД103А

КД103Б

 

Синяя т.

Желтая т.

КД105А

КД105Б

КД105В

КД105Г

Белая или желтая полоса на торце корпуса

Зеленая т.

Красная т.

Белая или желтая т.

КД106

КД209А*

КД209Б

КД209В

КД209Г

Метка черного, зеленого или желтого цвета

Белая т.

Черная т.

Зеленая т.

* Цвет корпуса коричневый.

Тип диода

Цвет кольца (к), точки (т)

со стороны катода (в середине корпуса} со стороны анода

КД226А

КД226Б

КД226В

КД226Г

КД226Д

КД226Е

 

Оранжевое к.

Красное к.

Зеленое к.

Желтое к.

Белое к.

Голубое к.

КД243А

КД243Б

КД243В

КД243Г

КД243Д

КД243Е

КД243Ж

Фиолетовое к.

Оранжевое к.

Красное к.

Зеленое к.

Желтое к.

Белое к.

Голубое к.

 
КД510А Одно широкое и два узких зеленых к.  
2Д510А Одно широкое и одно узкое зеленое к.  
КД521А   1 шир + 2 узкие
КД521Б   Синие полосы
КД521В   Желтые полосы
КД522А Одно узкое черное к. Одно широкое
КД522Б Два узких черных к. Черное кольцо
КД522В Три узких черных к. + тип диода

Литература: В.М. Пестриков. Энциклопедия радиолюбителя.

Применение диодов

Не следует думать, что диоды применяются лишь как выпрямительные и детекторные приборы. Кроме этого можно выделить еще множество их профессий. ВАХ диодов позволяет использовать их там, где требуется нелинейная обработка аналоговых сигналов. Это преобразователи частоты, логарифмические усилители, детекторы и другие устройства. Диоды в таких устройствах используются либо непосредственно как преобразователь, либо формируют характеристики устройства, будучи включенными в цепь обратной связи. Широкое применение диоды находят в стабилизированных источниках питания, как источники опорного напряжения (стабилитроны), либо как коммутирующие элементы накопительной катушки индуктивности (импульсные стабилизаторы напряжения).

Выпрямительные диоды.

С помощью диодов очень просто создать ограничители сигнала: два диода включенные встречно – параллельно служат прекрасной защитой входа усилителя, например, микрофонного, от подачи повышенного уровня сигнала. Кроме перечисленных устройств диоды очень часто используются в коммутаторах сигналов, а также в логических устройствах. Достаточно вспомнить логические операции И, ИЛИ и их сочетания. Одной из разновидностей диодов являются светодиоды. Когда-то они применялись лишь как индикаторы в различных устройствах. Теперь они везде и повсюду от простейших фонариков до телевизоров с LED – подсветкой, не заметить их просто невозможно.

Будет интересно Как устроен туннельный диод?

Параметры диодов

Параметров у диодов достаточно много и они определяются функцией, которую те выполняют в конкретном устройстве. Например, в диодах, генерирующих СВЧ колебания, очень важным параметром является рабочая частота, а также та граничная частота, на которой происходит срыв генерации. А вот для выпрямительных диодов этот параметр совершенно не важен. Основные параметры выпрямительных диодов приведены в таблице ниже.

Таблица основных параметров выпрямительных диодов.

В импульсных и переключающих диодах важна скорость переключения и время восстановления, то есть скорость полного открытия и полного закрытия. В мощных силовых диодах важна рассеиваемая мощность. Для этого их монтируют на специальные радиаторы. А вот диоды, работающие в слаботочных устройствах, ни в каких радиаторах не нуждаются. Но есть параметры, которые считаются важными для всех типов диодов, перечислим их:

  • U пр.– допустимое напряжение на диоде при протекании через него тока в прямом направлении. Превышать это напряжение не стоит, так как это приведёт к его порче.
  • U обр.– допустимое напряжение на диоде в закрытом состоянии. Его ещё называют напряжением пробоя. В закрытом состоянии, когда через p-n переход не протекает ток, на выводах образуется обратное напряжение. Если оно превысит допустимое значение, то это приведёт к физическому «пробою» p-n перехода. В результате диод превратиться в обычный проводник (сгорит).

Очень чувствительны к превышению обратного напряжения диоды Шоттки, которые очень часто выходят из строя по этой причине.

Обычные диоды, например, выпрямительные кремниевые более устойчивы к превышению обратного напряжения. При незначительном его превышении они переходят в режим обратимого пробоя. Если кристалл диода не успевает перегреться из-за чрезмерного выделения тепла, то изделие может работать ещё долгое время.

  • I пр.– прямой ток диода. Это очень важный параметр, который стоит учитывать при замене диодов аналогами или при конструировании самодельных устройств. Величина прямого тока для разных модификаций может достигать величин десятков и сотен ампер. Особо мощные диоды устанавливают на радиатор для отвода тепла, который образуется из-за теплового действия тока. P-N переход в прямом включении также обладает небольшим сопротивлением. На небольших рабочих токах его действие не заметно, но вот при токах в единицы-десятки ампер кристалл диода ощутимо нагревается. Так, например, выпрямительный диодный мост в сварочном инверторном аппарате обязательно устанавливают на радиатор.
  • I обр.– обратный ток диода. Обратный ток – это так называемый ток неосновных носителей. Он образуется, когда диод закрыт. Величина обратного тока очень мала и его в подавляющем числе случаев не учитывают.
  • U стаб.– напряжение стабилизации (для стабилитронов). Подробнее об этом параметре читайте в статье про стабилитрон.

Будет интересно SMD транзисторы

Кроме того следует иметь в виду, что все эти параметры в технической литературе печатаются и со значком “max”. Здесь указывается предельно допустимое значение данного параметра. Поэтому подбирая тип диода для вашей конструкции необходимо рассчитывать именно на максимально допустимые величины.

Диоды высокого тока.

Шитье

Трехфазный ток

Трехфазная система – это система электрической цепи, работающая на трех цепях, в которых действуют силы одной и той же частоты, но сдвинутые по фазе друг от друга на одну треть периода или на 120 градусов. Каждая отдельная цепь такой системы называется фазой, а система из трех сдвинутых по фазе токов называется трехфазным током.

Практически все современные генераторы в домах и на электростанциях представляют собой генераторы трехфазного тока. Фактически это один большой генератор, состоящий из трех маленьких двигателей, которые генерируют токи, электродвижущие силы в них сдвинуты относительно друг друга на 120 градусов или одну треть периода.

График трехфазного сигнала

Параметры импульсных диодов

Для диодов импульсного типа свойственно наличие:

В число основных параметров импульсного диода входят следующие:

  1. емкость;
  2. максимальное импульсное прямое напряжение;
  3. максимальный импульсный прямой ток;
  4. время восстановления обратного сопротивления.

Вольт-амперная характеристика p-n перехода, представляющая зависимость плотности полного тока на границе перехода от напря­жения смещения:

, (3.7)

где

. (3.8)

На практике для реальных полупроводниковых приборов используют вольт-амперную характеристику для полного тока через p-n переход:

(3.9)

где , ; S -площадь перехода.

При быстром изменении напряжения (тока) на диоде ток (напряжение) через диод в соответствии со статической характеристикой (3.9) устанавливается не сразу, а через некоторое время, обусловленное инерционностью диода. Инерционность диода связана с конечной скоростью установления концентрации неравновесных носителей при внешнем смещении р-n перехода. Поэтому для импульсных диодов наряду с параметрами, определенными из статической вольт-амперной характеристики, вводят еще ряд параметров, характеризующих инерционность диода.
Дополнительной характеристикой является длительность установления прямого напряжения.

Импульс обратного тока

Задержка запирания импульсного диода интересна эффектом, который выражается в кратковременном увеличении обратного тока. Это обусловлено особыми физико-химическими процессами, протекающими в полупроводниковой структуре импульсного диода. В первые доли секунды при прохождении импульса через p-n-переход происходит инжекция неосновных носителей заряда, которые скапливаются в базе диода. И только после того, как данное скопление рекомбинирует и рассосется, диод запирается.
Движение неосновных носителей провоцирует возникновение того самого обратного тока, резкое возрастание которого фиксируется при смене полярности входного сигнала. Таким образом, в этот момент возникает классический с точки зрения физики . Его длительность крайне невелика – единицы наносекунд, что и используется в генераторных схемах. Небольшая продолжительность определяется чрезвычайно малой емкостью p-n-перехода, которая редко превышает единицы пикофарад.
Как известно, в выпрямительных диодах, для обеспечения их функциональности используются плоскостные p-n-переходы. Их особенность состоит в довольно большой емкости. В импульсных же диодах она должна быть как раз небольшой. Поэтому при производстве данных радиодеталей от плоскостной модели p-n-перехода отказались. Эти элементы изготавливают с помощью микросплавных и планарных методов. Последние применяются при производстве интегральных микросхем для цифрового оборудования.

1. tвосст- время восстановления обратного сопротивления при переключении из прямого направления в обратное в момент t1(рис.4.7). В начальный момент после переключения Ua обратный ток намного больше установившегося (3.8) из-за высокой неравновесной концентрации неосновных носителей, оставшихся от прямого смещения. В течение tвосст концентрация неосновных носителей уменьшается, а обратный ток достигает заданного значения (несколько большего, чем из (3.8), как показано на рис.4.7).

Рис. 4.7

Рис. 4.8

2. tуст -время установления прямого сопротивления диода при переключении из обратного направления в прямое в момент t1 (рис.4.8). В начальный момент включения прямого тока величина прямого напряжения (сопротивления) на p-n переходе больше, чем это следует из (3.7), так как концентрация инжектированных (неосновных) носителей еще мала. В течение tуст концентрация инжектированных носителей достигает величины, близкой к установившейся, а прямое напряжение (сопротивление) уменьшается до 1,1Unp , соответствующего статической вольт-амперной характеристике (3.7). Этот процесс еще характеризуют максимальным импульсным прямым напряжением Unp.имп.max.

3. Сд -емкость диода при заданном смещении. Часто Сд измеряется при Uобр= 5 В.

В табл. 4.4 приведены параметры некоторых импульсных диодов. Импульсные диоды выполняются точечными и плоскостными с малой площадью перехода.

Таблица 4.4 Параметры импульсных диодов

Тип

диода

Iпр,

мА

Uпр

Uпр.имп

Uобр

Iобр,

мкА

tвосст,

мкс

tуст,

мкс

C

(Uобр=5В),

пФ

В

Д18

Д219А

КД503А

20

50

20

1

1

1

5,0

2,5

2,5

20

70

30

50

1

10

<0,1

0,5

0,01

<0,08

0,5

15

5

По величине tвост импульсные диоды подразделяются на :

  • скоростные, или микросекундные 1мкс< tвост <0,1мс

  • сверхскоростные, или наносекундные tвост <0,1мкс

Идеализированная ВАХ полупроводникового диода

Промежуточное положение между идеальной и реальной вольт-амперной характеристикой полупроводникового диода занимает идеализированная ВАХ.

В соответствии с этим рисунком для прямого направления тока, полупроводниковый диод представляет собой небольшое сопротивление Rпр., величина которого не зависит от величины приложенного напряжения.

Для обратного направления тока полупроводниковый диод представляет собой большое по величине постоянное сопротивление Rобр., которое также не зависит от напряжения.

Обычно для полупроводниковых диодов, изготовленных из различных материалов, отношение этих сопротивлений (Rобр./Rпр.) находится в пределах 103…105.

1.5. Вольтамперная характеристика диода

Вольтамперная характеристика (ВАХ)
диода аналогична вольтамперной
характеристике p-n-перехода и имеет
две ветви – прямую и обратную.

ВАХ диода представлена на рисунке 5.

Если диод включен в прямом направлении
(«+» – к области р, а «-» –
к областиn), то при
достижении порогового напряженияUпордиод открывается и через него протекает
прямой ток. При обратном включении («-»
к областир, а «+» – к областиn) через диод протекает
незначительный обратный ток, то есть
фактически диод закрыт. Следовательно,
можно считать, что диод пропускает ток
только в одном направлении, что позволяет
использовать его в качестве выпрямительного
элемента.

Значения прямого и обратного токов
отличаются на несколько порядков, а
прямое падение напряжения не превышает
единиц вольт по сравнению с обратным
напряжением, которое может составлять
сотни и более вольт. Выпрямительные
свойства диодов тем лучше, чем меньше
обратный ток при заданном обратном
напряжении и чем меньше падение напряжения
при заданном прямом токе.

Рисунок
5 – Условно-графическое обозначение
(УГО) и вольтамперная характеристика
диода при различных температурах

Параметрами ВАХ являются: динамическое
(дифференциальное) сопротивление диода
переменному току и статическое
сопротивление постоянному току.

Статическое сопротивление диода
постоянному току в прямом и обратном
направлении выражается соотношением:

, (2)

где UиIзадают конкретные точки на ВАХ диода,
в которых производится вычисление
сопротивления.

Динамическое сопротивление переменному
току определяет изменение тока через
диод с изменением напряжения вблизи
выбранной рабочей точки на характеристике
диода:

. (3)

Поскольку типичная ВАХ диода имеет
участки с повышенной линейностью (один
на прямой ветви, один – на обратной), rдвычисляется как отношение малого
приращения напряжения на диоде к малому
приращению тока через него при заданном
режиме:

. (4)

Чтобы вывести выражение для rд,
удобнее принять в качестве аргумента
токI, а напряжение
считать его функцией и, логарифмируя
уравнение (1), привести его к виду:

. (5)

Тогда:

. (6)

Отсюда следует, что с ростом прямого
тока rдбыстро уменьшается, так как при прямом
включении диодаI>>IS.

На линейном участке ВАХ при прямом
включении диода статическое сопротивление
всегда больше динамического сопротивления:Rст>rд.
При обратном включении диодаRст<rд.

Таким образом, электрическое сопротивление
диода в прямом направлении намного
меньше, чем в обратном. Следовательно,
диод обладает односторонней проводимостью
и используется для выпрямления переменного
тока.

Примечания

  1. Словарь по кибернетике / Под редакцией академика В. С. Михалевича. — 2-е. — Киев: Главная редакция Украинской Советской Энциклопедии имени М. П. Бажана, 1989. — 751 с. — (С48). — 50 000 экз. — ISBN 5-88500-008-5.
  2. А. В. Баюков, А. Б. Гитцевич, А. А. Зайцев и др. Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / Под ред. Н. Н. Горюнова. — 2-е изд., перераб. — М.: Энергоатомиздат, 1984 год. — С. 13—31. — 744 с., ил с. — 100 000 экз.
  3. Барнс Дж. Электронное конструирование: Методы борьбы с помехами = John R. Barnes. Electronic System Design: Interference And Noise Control Techniques. — Prentice-Hall, 1987. — Пер. с англ. — М.: Мир, 1990. — С. 78–85. — 238 с. — 30 000 экз. — ISBN 5-03-001369-5 (рус.), ISBN 0-13-252123-7 (англ.).

Максимально допустимое обратное напряжение

Максимально допустимое обратное напряжение эмиттер — база 6 / эво та для транзистора ГТ323А составляет всего 2 В.

Максимально допустимое обратное напряжение — это напряжение, при котором гарантируется надежная работа диода. Поэтому максимально допустимое обратное напряжение, значение которого указывается в справочниках, значительно меньше пробивного напряжения.

Конструкция плоскостного германиевого диода.| Вольт-амперная характеристика плоскостного диода.

Максимально допустимое обратное напряжение для германиевых плоскостных полупроводниковых диодов колеблется от 100 до 600 в, что значительно меньше, чем у вакуумных. Если для вакуумных диодов обратный ток практически отсутствует, то для полупроводниковых он имеет конечное значение. Поэтому приходится говорить об обратном сопротивлении диода, которое составляет от килоом.

Максимально допустимое обратное напряжение, подаваемое на управляющий электрод ( например, для снижения влияния эффекта du / dt), у большинства тиристоров ограничено значением около 1 В.

Максимально допустимое обратное напряжение ( С / обр) — максимальное значение постоянного обратного напряжения на диоде, которое не вызывает пробой перехода.

Минимально необходимые площади радиаторов S для диодов средней мощности.

Максимально допустимое обратное напряжение t / ofjp m макс — наибольшее импульсное обратное напряжение, при котором диод может длительно и надежно работать.

ВАХ одного из кремниевых выпрямительных диодов при разных температурах окружающей среды.

Максимально допустимое обратное напряжение — это напряжение, при котором гарантируется надежная работа диода. Поэтому максимально допустимое обратное напряжение, значение которого указывается в справочниках, значительно меньше пробивного напряжения.

Максимально допустимое обратное напряжение обр макс — максимально допустимое напряжение на диоде любой формы и периодичности, при котором обеспечивается заданная надежность диода при его длительной работе в течение оговоренного срока службы.

Максимально допустимое обратное напряжения ( ОБР МАКС) — максимально допустимое напряжение на диоде любой формы и периодичности, при котором обеспечивается заданная надежность диода при его длительной работе.

С максимально допустимое обратное напряжение, прямой ток, рассеиваемая мощность ц импульсная рассеиваемая мощность изменяются линейно.

С максимально допустимое обратное напряжение, прямой ток, рассеиваемая мощность ц импульсная рассеиваемая мощность изменяются линейно.

Какое максимально допустимое обратное напряжение должны иметь полупроводниковые диоды, работающие в мостовой схеме выпрямления, если максимальная амплитуда входного напряжения равна 100 В.

Падение напряжения на диоде Шоттки

Если же подать прямой ток на диод, то на диоде будет “оседать” напряжение. Это падение напряжения называется прямым падением напряжения на диоде. В даташитах обозначается как Vf , то есть Voltage drop.

прямое падение напряжения на диоде

Если пропустить через такой диод прямой ток, то мощность, которая будет на нем рассеиваться, будет определяться формулой:

где

P – мощность, Вт

Vf – прямое падение напряжение на диоде, В

I – сила тока через диод, А

Поэтому, одним из главных преимуществ диода Шоттки является то, что его прямое падение напряжения намного меньше, чем у простого диода. Следовательно, он будет меньше рассеивать тепло, или простым языком, меньше нагреваться.

Давайте рассмотрим один из примеров. Возьмем диод 1N4007. Его прямое падение напряжения составляет 0,83 Вольт, что типично для простого полупроводникового диода.

падение напряжение на диоде в прямом включении

В настоящий момент через него проходит сила тока, равная 0,5 А. Давайте рассчитаем его рассеиваемую мощность в данный момент. P=0,83 x 0,5 = 0,415 Вт.

Если рассмотреть этот случай через тепловизор, то можно увидеть, что его температура корпуса составила 54,4 градуса по Цельсию.

Теперь давайте проведем тот же самый эксперимент с диодом Шоттки 1N5817. Как вы видите, его прямое падение напряжения составило примерно 0,35 В.

падение напряжения на диоде Шоттки при прямом включении

При прохождении силы тока через диод Шоттки в 0,5 А, мы получим рассеиваемую мощность P=0,5 x 0,35 = 0,175 Вт. При этом тепловизор нам покажет, что температура корпуса уже будет 38,2 градуса.

Следовательно, Шоттки намного эффективнее, чем простой полупроводниковый диод в плане пропускания через себя прямого тока, так как он обладает меньшим падением напряжения, а следовательно, меньше рассеивает тепло в окружающее пространство и меньше нагревается.

Прямое падение напряжения можно также посмотреть и в даташитах. Например, прямое падение напряжения на диоде Шоттки 1N5817 можно найти из графика зависимости прямого тока от падения напряжения на диоде Шоттки

график зависимости прямого тока от напряжения

В нашем случае если следовать графо-аналитическому способу, то мы как раз получаем значение 0,35 В

Статическая ВАХ полупроводникового диода

Статическую ВАХ полупроводникового диода (ВАХ при постоянном токе) в области прямых токов можно измерить по точкам в схеме, показанной на следующем рисунке. Величина резистора R2, ограничивающего ток через испытуемый диод, выбирается исходя из значения максимального прямого тока.

Отметим, что результат измерений ВАХ на постоянном токе чаще всего может оказаться неточным: при больших токах будет происходить разогрев полупроводникового перехода, a c ростом температуры экспоненциально возрастает и ток. Поэтому фактические данные измеренной ВАХ будут соответствовать более высокой температуре. Поскольку изменение температуры перехода происходит постепенно и зависит от массы и теплофизических характеристик материалов диода, результат будет зависеть от продолжительности измерения. a также от того, при увеличении или понижении тока (напряжения) троисходят измерения.

Для исследования обратной ветви ВАХ по ее отдельным точкам можно воспользоваться следующей схемой. Величина подаваемого на полупроводниковый диод напряжения ограничена максимальным значением обратного напряжения для исследуемого прибора. Предельную величину обратного тока через диод ограничивает резистор R2.

При исследовании обратной ветви ВАХ на постоянном токе разогрев перехода в процессе эксперимента также сказывается на результате измерений.

Классификация и система обозначений

Классификация диодов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного материала (полупроводника) отображается системой условных обозначений их типов. Система условных обозначений постоянно совершенствуется в соответствии с возникновением новых классификационных групп и типов диодов. Обычно системы обозначений представлены буквенно-цифровым кодом.

СССР

На территории СССР система условных обозначений неоднократно претерпевала изменения и до настоящего времени на радиорынках можно встретить полупроводниковые диоды, выпущенные на заводах СССР и с системой обозначений согласно отраслевого стандарта ГОСТ 11 336.919-81, базирующегося на ряде классификационных признаков изделий. Итак,

  1. первый элемент буквенно-цифрового кода обозначает исходный материал (полупроводник), на основе которого изготовлен диод, например:
    • Г или 1 — германий или его соединения;
    • К или 2 — кремний или его соединения;
    • А или 3 — соединения галлия (например, арсенид галлия);
    • И или 4 — соединения индия (например, фосфид индия);
  2. второй элемент — буквенный индекс, определяющий подкласс приборов;
    • Д — для обозначения выпрямительных, импульсных, магнито- и термодиодов;
    • Ц — выпрямительных столбов и блоков;
    • В — варикапов;
    • И — туннельных диодов;
    • А — сверхвысокочастотных диодов;
    • С — стабилитронов, в том числе стабисторов и ограничителей;
    • Л — излучающие оптоэлектронные приборы;
    • О — оптопары;
    • Н — диодные тиристоры;
  3. третий элемент — цифра (или в случае оптопар — буква), определяющая один из основных признаков прибора (параметр, назначение или принцип действия);
  4. четвёртый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа изделия;
  5. пятый элемент — буквенный индекс, условно определяющий классификацию по параметрам диодов, изготовленных по единой технологии.

Например: КД212Б, ГД508А, КЦ405Ж.

Кроме того, система обозначений предусматривает (в случае необходимости) введение в обозначение дополнительных знаков для выделения отдельных существенных конструктивно-технологических особенностей изделий.

Импортные радиодетали

Существует ряд общих принципов стандартизации системы кодирования для диодов за рубежом. Наиболее распространены стандарты EIA/JEDEC и европейский «Pro Electron».

EIA/JEDEC

Дополнительные сведения: Electronic Industries Alliance и Joint Electron Devices Engineering Council

Стандартизированная система EIA370 нумерации 1N-серии была введена в США EIA/JEDEC (Объединенный инженерный консилиум по электронным устройствам) приблизительно в 1960 году. Среди самого популярного в этой серии были: 1N34A/1N270 (германиевый), 1N914/1N4148
(кремниевый), 1N4001—1N4007 (кремниевый выпрямитель 1A) и 1N54xx (мощный кремниевый выпрямитель 3A).

Pro Electron

Дополнительные сведения: Pro Electron

Согласно европейской системе обозначений активных компонентов Pro Electron, введенной в 1966 году и состоящей из двух букв и числового кода:

  1. первая буква обозначает материал полупроводника:
    • A — Germanium (германий) или его соединения;
    • B — Silicium (кремний) или его соединения;
  2. вторая буква обозначает подкласс приборов:
    • A — сверхвысокочастотные диоды;
    • B — варикапы;
    • X — умножители напряжения;
    • Y — выпрямительные диоды;
    • Z — стабилитроны, например:
  • AA-серия — германиевые сверхвысокочастотные диоды (например, AA119);
  • BA-серия — кремниевые сверхвысокочастотные диоды (например: BAT18 — диодный переключатель)
  • BY-серия — кремниевые выпрямительные диоды (например: BY127 — выпрямительный диод 1250V, 1А);
  • BZ-серия — кремниевые стабилитроны (например, BZY88C4V7 — стабилитрон 4,7V).

Другие

Другие распространённые системы нумерации/кодирования (обычно производителем) включают:

  • GD-серия германиевых диодов (например, GD9) — это очень старая система кодирования;
  • OA-серия германиевых диодов (например, OA47) — кодирующие последовательности разработаны британской компанией Mullard.

Система JIS маркирует полупроводниковые диоды, начиная с «1S».

Кроме того, многие производители или организации имеют свои собственные системы общей кодировки, например:

  • HP диод 1901-0044 = JEDEC 1N4148
  • Военный диод CV448 (Великобритания) = Mullard типа OA81 = GEC типа GEX23

Дизайн

Навигация по сайту

Маркировка

Для того чтобы определить вид, узнать характеристику полупроводникового диода, производители наносят специальные обозначения на корпус элемента. Она состоит из четырёх частей.

На первом месте — буква или цифра, означающая материал, из которого изготовлен диод. Может принимать следующие значения:

  • Г (1) — германий;
  • К (2) — кремний;
  • А (3) — арсенид галлия;
  • И (4) — индий.

На втором — типы диода. Они тоже могут иметь разное значение:

  • Д — выпрямительные;
  • В — варикап;
  • А — сверхвысокочастотные;
  • И — туннельные;
  • С — стабилитроны;
  • Ц — выпрямительные столбы и блоки.

На третьем месте располагается цифра, указывающая на область применения элемента.

Четвёртое место — числа от 01 до 99, означающее порядковый номер разработки.

Также на корпус могут быть нанесены и дополнительные обозначения. Но, как правило, они используются в специализированных приборах и схемах.

Для удобства восприятия диоды могут маркироваться также и разнообразными графическими символами, например, точками и полосками. Особой логики в таких рисунках нет. То есть, чтобы определить, что это за диод, придется заглянуть в специальную таблицу соответствия.

Заключение

TVS-диоды имеют существенные конструктивные отличия от обычных диодов. Целью изменений является увеличение значений пиковых токов и мощностей.

Как и другие защитные ограничители напряжения, TVS-диоды имеют особенности применения. Для большого количества приложений именно TVS являются оптимальным выбором. Среди областей их применения можно выделить силовую электронику, цифровые интерфейсы, управляющие и телекоммуникационные схемы.

В номенклатуре Littelfuse представлены TVS-диоды с различными характеристиками:

  • одно- и двунаправленные;
  • с постоянным обратным напряжением 5…530 В;
  • для поверхностного и выводного монтажа;
  • с уровнями мощности 0,4…30 кВт;
  • с уровнями пиковых токов до 15000 А.

Многообразие супрессоров Littelfuse позволяет разработчикам выбирать оптимальные TVS для каждого конкретного приложения.

Основные выводы

Полупроводниковые диоды – радиоэлементы с единственным p-n переходом, присутствующие практически во всех бытовых электроприборах. Чтобы работа полупроводников длилась дольше, необходимо обладать знаниями о принципе работы диодов, причинах неисправностей и способах их предотвращения.

Чаще всего работа полупроводников нарушается при изменениях температуры в окружающей среде или переходе. Если температура слишком высокая, увеличивается количество энергоносителей в переходе, снижается сопротивление, растет объем противоположного тока. После достижения максимально допустимого уровня запускается процесс разрушения кристалла.

Чтобы предотвратить сокращение сроков работы, необходимо следить за температурой среды и чистотой приборов. При необходимости следует организовать дополнительную систему отвода тепла. Повышение температуры в переходе предотвращается соблюдением требований к уровню вольтажа и тока, определенному для конкретного прибора. Даже при малейшем превышении существует вероятность разрушения кристалла.

Предыдущая
СветодиодыТаблица сравнения светового потока светодиодов и ламп накаливания и другие показатели эффективности освещения
Следующая
СветодиодыПодключения RGB светодиодной ленты: популярные схемы

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
Добавить комментарий